Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование технологических процессов изготовления мощных высоковольтных биполярных транзисторов с решеткой включений в коллекторной области

Волокобинская Н.И.¹, Комаров И.Н.¹, Матюхина Т.В.¹, Решетников В.И.¹, Руш А.А.¹, Фалина И.В.¹, Ястребов А.С.¹

¹Санкт-Петербургский государственный университет телекоммуникаций им. проф. М.А. Бонч-Бруевича, Санкт-Петербург, Россия Bonch-Bruevich St. Petersburg State University of Telecommunications, St. Petersburg, Russia

Bonch-Bruevich St. Petersburg State University of Telecommunications, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 3 июля 2000 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2001 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы технологические процессы, происходящие в полупроводниковых структурах при изготовлении транзисторов, содержащих новый конструктивный элемент - решетку объемных неоднородностей в коллекторной области, препятствующую развитию вторичного пробоя.

М.Ю. Волокобинский, И.Н. Комаров, Т.В. Матюхина, В.И. Решетников, А.А. Руш, И.В. Фалина, А.С. Ястребов. ФТП, 35 (3), 245 (2001)
Л.И. Матынина, А.И. Пекарев, Ю.Д. Чистяков, Изв. вузов СССР. Радиотехника, 22 (9), 3 (1978)
В.Н. Тверсков, А.Г. Костогрыз, В.М. Суворов и др. Электрон. техн., сер 6, Материалы, N 3, 35 (1976)
М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский. Структурные дефекты в эпитаксиальных слоях полупроводников (М., Металлургия, 1985)
А. Зеленов, В. Минбазин. Микроэлектроника, N 3 (57), 15 (1975)
Ю.А. Малинин, В.А. Твериков и др. Электрон. техн., сер. 6, Материалы, N 2, 55 (1975)
Основы технологии кремниевых интегральных схем. Окисление. Диффузия. Эпитаксия, под ред. Р. Бургера, Р. Донована (М., Мир, 1969). [ Fundamentals of silicon integrated device technology. Vol. 1: Oxidation, Diffusion and Epitaxy, ed. by R.M. Burger, R.P. Donovan (Prentice-Hall, Inc., Englewood Cliffs, N. J., 1967)]
Атомная диффузия в полупроводниках, под ред. Д. Шоу (М., Мир, 1975). [ Atomic diffusion in semiconductors, ed. by D. Shaw (Plenum Press, London--N. Y., 1973)]
В.А. Потапчук, М.Ю. Шнейдерман. Электротехническая промышленность. Сер. Преобразовательная техника, N 11 (157), 4 (1983)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель