Вышедшие номера
Диффузия Cu по чистой поверхности Si(111)
Долбак А.Е.1, Жачук Р.А.1, Ольшанецкий Б.З.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 14 февраля 2001 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2001 г.

Методами электронной оже-спектроскопии и дифракции медленных электронов исследована диффузия Cu по атомарно-чистой поверхности Si(111). Установлено, что в результате диффузии на поверхности кремния образуются концентрационные распределения меди с резкой границей и формируется поверхностная фаза Si(111)-"5x5"-Сu. Показано, что процесс переноса меди по поверхности Si(111) происходит путем твердофазного растекания, известного как механизм "развертывающегося ковра". Получена зависимость коэффициента поверхностной диффузии Cu на поверхности Si(111) от температуры, которая имеет вид DCu=104exp(-1.9/kT) см2/c.