Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2001, выпуск 9 » Статья стр. 1067
<<<>>>
Моделирование процессов эпитаксии, сублимации и отжига в трехмерном приповерхностном слое кремния
Зверев А.В.1, Неизвестный И.Г.1, Шварц Н.Л.1, Яновицкая З.Ш.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 14 февраля 2001 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2001 г.
PDF версия
Разработана модель Монте-Карло эпитаксии, сублимации и отжига на поверхности (111) алмазоподобного кристалла. Модель допускает существование нависающих структур и позволяет рассматривать поведение трехмерного приповерхностного слоя сложной конфигурации объемом до 107 атомных мест. С помощью разработанной модели проведены исследования начальной стадии эпитаксиального роста на гладкой и пористой поверхностях, отжига ступенчатых и пористых поверхностей, а также рассмотрено влияние барьеров Швебеля на формирование компaктных трехмерных островков при эпитаксии в качестве одного из возможных кинетических механизмов образования квантовых точек. Исследовано поведение моноатомных ступеней на поверхностях (111) алмазоподобных кристаллов в процессе сублимации.
  1. N.D. Zakharov, P. Werner, U. Gosele, R. Heitz, D. Bimberg, N.N. Ledentsov, V.M. Ustinov, B.V. Volovik et al. Appl. Phys. Lett., 76, 2677 (2000)
  2. K. Zhang, Ch. Heyn, W. Hansen, Th. Schmidt, J. Falta. Appl. Phys. Lett. 76, 2229 (2000)
  3. T.T. Tsong. Progr. Surf. Sci., 64, 199 (2000)
  4. A.V. Latyshev, A.B. Krasilnikov, A.L. Aseev. Thin Sol. Films, 306, 205 (1997)
  5. A.A. Shklyaev, M. Shibata, M. Ichikawa. J. Appl. Phys., 88, 1397 (2000)
  6. Методы Монте-Карло в статистической физике, под ред. Биндера (М., Наука, 1981)
  7. А.В. Зверев, И.Г. Неизвестный, Н.Л. Шварц, З.Ш. Яновицкая. Микроэлектроника, 28, 377 (1999)
  8. J. Dalla Torre, M.D. Rouhani. J. Appl. Phys., 84, 5487 (1998)
  9. П.Л. Новиков, Л.Н. Александров, А.В. Двуреченский, В.А. Зиновьев. Письма ЖЭТФ, 67, 512 (1998)
  10. D.L. Woodraska, J.A. Jaszczak. Surf. Sci., 374, 319 (1997)
  11. S. Kersulis, V. Mitin. Semicond. Sci. Technol., 10, 653 (1995)
  12. A.V. Latyshev, A.B. Krasilnikov, A.L. Aseev. Appl. Surf. Sci., 60/61, 397 (1992)
  13. H. Grube, J.J. Boland. Surf. Sci., 407, 152 (1998)
  14. Y. Yasumatsu, T. Ito, H. Nishizawa, A. Hiraki. Appl. Surf. Sci., 48/49, 414 (1991)
  15. C. Heyn, T. Franke, R. Anton, M. Harsdorft. Phys. Rev. B, 56, 13 483 (1997)
  16. P.A. Maksym. Semicond. Sci. Technol., 3, 594 (1988)
  17. B. Voigtlander, A. Zinner, T. Weber, H.P. Bonzel. Phys. Rev. B, 51, 7583 (1995)
  18. B. Voigtlander, M. Kastner, P. Smilauer. Phys. Rev. Lett., 81, 858 (1998)
  19. J. Myslivecek, T. Jarolimek, P. Smilauer, B. Voigtlander, M. Kastner. Phys. Rev. B, 60, 13 869 (1999)
  20. T. Sato, S. Kitamura, M. Iwatsuki. Surf. Sci., 445, 130 (2000)
  21. I.-S. Hwang, Mon-Su Ho, T.T. Tsong. Phys. Rev. Lett., 83, 120 (1999)
  22. J.A. Venables, G.D.T. Spiller, M. Hanbucken. Rep. Progr. Phys., 47, 399 (1984)
  23. M.I. Larsson, G.V. Hansson. Surf. Sci. Lett., 321, 1261 (1994)
  24. A.V. Latyshev, A.B. Krasilnikov, A.L. Aseev. Thin Sol. Films, 281--282, 20 (1996)
  25. M. Fehrenbacher, H. Rauscher, U. Memmert, R.J. Behm. Surf. Sci., 398, 123 (1997)
  26. T. Shitara, D.D. Vedensky, M.R. Wilby, J. Zhang, J.H. Neave, B.A. Joyce. Phys. Rev. B, 46, 6815 (1992)
  27. V.A. Shchukin, D. Bimberg. Rev. Mod. Phys., 71, 1125 (1999)
  28. Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров, Д. Бимберг. ФТП, 32, 385 (1998)
  29. M. Kummer, B. Vogeli, T. Meyer, H. Kanel. Phys. Rev. Lett., 84, 107 (2000)
  30. I.G. Neizvestny, L.N. Safronov, N.L. Shwartz, Z.Sh. Yanovitskaya, A.V. Zverev. Proc. 8th Int. Symp. Nanosrtuctures: Physics and Technology (St. Petersburg, Russia, June 19--23, 2000) p. 129
  31. Y. Hayashi, Y. Agata, T. Soga, T. Jimbo, M. Umeno, N. Sato, T. Yonehara. Jpn. J. Appl. Phys., 37, L1354 (1998)
  32. S.I. Romanov, V.I. Mashanov, L.V. Sokolov, A. Gutakovski, O.P. Pchelyakov. Appl. Phys. Lett., 75, 4118 (1999)
  33. S. Jin, H. Bender, L. Stalmans, R. Bilyalov, J. Poormans, R. Loo, M. Caymax. J. Cryst. Growth, 212, 119 (2000)
  34. S.I. Romanov, A.V. Dvurechenskii, V.V. Kirienko, R. Grotzshel, A. Gutakovskii, L.V. Sokolov, M.A. Lamin. Proc. of NATO Advanced Research Workshop. Perspectivs, Science and Technologies for Novel Silicon on Insulator Devices, ed by P.L.F. Hemment et al. (Kluwer Acadimic Publishers, Netherlands, 2000) p. 29
  35. А.В. Зверев, И.Г. Неизвестный, Н.Л. Шварц, З.Ш. Яновицкая. Изв. РАН. Сер. физ., 64, 337 (2000)
  36. T. Sato, K. Mitsutake, I. Mizushima, Y. Tsunashima. Jpn. J. Appl. Phys., 39, Part 1, 5033 (2000)
  37. P. Finnie, Y. Homma. Phys. Rev. Lett., 83, 2737 (1999)
  38. K. Thurmer, D-J. Liu, E.D. Williams, J.D. Weeks. Phys. Rev. Lett., 83, 5531 (1999)
  39. C. Alfonso, J.C. Heyraud, J.J. Metois. Surf. Sci. Lett., 291, 745 (1993)
  40. Y. Homma, H. Hibino, T. Ogino. Phys. Rev. B, 58, 13 146 (1998)
  41. J.M. Bermond, J.J. Metois, J.C. Heyraud, C. Alfonco. Surf. Sci., 331---333, 855 (1995)
  42. Y. Homma, H. Hibino, Y. Kunii, T. Ogino. Surf. Sci., 445, 327 (2000)
  43. A. Pimpinelli, J. Villain. Physica A, 204, 521 (1994)
  44. A.V. Latyshev, A.B. Krasilnikov, A.L. Aseev. Surf. Sci., 311, 395 (1994)
  45. R.L. Schwoebel, E.J. Shipsey. J. Appl. Phys., 37, 3682 (1966)
  46. I.G. Neizvestny, N.L. Shwartz, Z.Sh. Yanovitskaya, A.V. Zverev. Thin Sol. Films (принята к печати).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme