Вышедшие номера
Квантовые точки 2 типа в системе Ge/Si
Двуреченский А.В.1, Якимов А.И.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 14 февраля 2001 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2001 г.

Приводятся результаты по электронной структуре непрямого в пространстве экситона, многочастичных экситонных комплексов, отрицательной фотопроводимости в структурах Ge/Si с квантовыми точками. Проводится сравнение с данными для гетеросистем 2 типа с квантовыми точками на основе соединений AIIIBV и AIIBVI. Фундаментальные физические явления в изучаемых структурах заключаются в увеличении энергии связи экситона по сравнению с энергией связи свободных экситонов в объемных однородных полупроводниках; в коротковолновом сдвиге энергии экситонного перехода при образовании многочастичных комплексов (типа заряженный экситон, биэкситон); захвате равновесных носителей на локализованные состояния, формируемые электрическим полем заряженных квантовых точек.