Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Переходные характеристики МОП тиристоров, облученных электронами

Чернявский Е.В.¹, Попов В.П.¹, Пахмутов Ю.С.¹, Красников Ю.И.¹, Сафронов Л.Н.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 14 февраля 2001 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2001 г.

PDF версия

Представлены результаты разработки и изготовления МОП тиристоров. Изучены статические и динамические характеристики. Исследовано влияние облучения электронами на статические и динамические характеристики. Обнаружено, что облучение электронами существенно уменьшает время выключения МОП тиристора. Также наблюдалось увеличение плотности управляемого тока.

T. Ogura, M. Kitagava, A. Nakagava, H. Ohashi. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-38, 1491 (1991)
M. Kegura, H. Akiyama, M. Tani, S. Yamada. IEEE Trans. Power Electron., 5, 430 (1990)
T. Ogura, A. Nakagava, M. Atsuta, Y. Kamei, K. Takigami. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-40, 628 (1993)
F. Bauer, E. Halder, K. Hoffman, H. Hollenbeck, P. Roggwiller, T. Stockmeier, J. Burgler, W. Fichtner, S. Muller, M. Westermann, J.M. Moret, R. Vuilleumier. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-38, 1605 (1991)
F. Bauer, H. Haddon, T. Stockmeier, W. Fichtner, R. Vuilleumier, J.M. Moret. Proc. of Int. Conf. MADEP 91 (1991) p. 270
H. Dettmer, W. Fichtner, F. Bauer, T. Stockmeier. Proc. Int. Conf. ISPSD 94 (1994) p. 13
S.D. Brotherton, P. Bradley. J. Appl. Phys., 53, 5720 (1982)
A.O. Evwaraye, B.J. Baliga. J. Electrochem. Soc., 124, 913 (1977)
G.I. Andersson, M.O. Andersson, O. Andersson. J. Appl. Phys., 72, 2680 (1992)
K. Nakayama, H. Matsuda, Jap. J. Appl. Phys., 37, 4751 (1998)
M.F. Chang, E.E. Wolley, S.F. Bevacqua. Proc. Industry Appl. Soc. (1979) p. 1068
S.K. Chandi. Semiconductor Power Devices (N.-Y. Willey-Intersience, 1977)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель