Вышедшие номера
Анализ температурной зависимости концентрации электронов в монокристаллах CdGeAs2
Борисенко С.И.1
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 30 октября 2001 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2001 г.

Проведен анализ температурной зависимости концентрации электронов в монокристаллах CdGeAs2, выращенных новым методом. Вычислено значение концентрации собственных дефектов и энергия активации. Показано, что энергия активации имеет резонансный характер, а концентрация собственных дефектов в исследуемой области температур 10-500 K существенно превышает концентрацию электронов.