Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Анализ температурной зависимости концентрации электронов в монокристаллах CdGeAs2
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия 
Поступила в редакцию: 30 октября 2001 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2001 г.
Проведен анализ температурной зависимости концентрации электронов в монокристаллах CdGeAs2, выращенных новым методом. Вычислено значение концентрации собственных дефектов и энергия активации. Показано, что энергия активации имеет резонансный характер, а концентрация собственных дефектов в исследуемой области температур 10-500 K существенно превышает концентрацию электронов.
- С.И. Борисенко, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, В.Г. Тютерев. ФТП, 35 (6), 720 (2001)
- И.К. Полушина, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Т.Н. Ушакова. ФТТ, 41, 1190 (1999)
- T.N. Morgan. Phys. Rev. A, 139, 343 (1965)
- С.И. Борисенко, Г.Ф. Караваев. Изв. вузов. Физика, N 4, 101 (1988)
- H.C. Casey, jr., F. Stern. J. Appl. Phys., 47, 631 (1976)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
