Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние температуры отжига на электролюминесценцию ионов эрбия в Si : (Er,O)-диодах: диоды с ориентацией подложки (111)

Соболев Н.А.¹, Емельянов А.М.¹, Николаев Ю.А.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 30 марта 2001 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2001 г.

PDF версия

Исследовано влияние температуры второго, активирующего образование оптически и электрически активных центров, отжига Si : (Er,O)-диодов с ориентацией (111) на электролюминесценцию ионов эрбия на длине волны lambda~1.54 мкм. Легирование осуществлялось имплантацией ионов эрбия с энергиями 2.0, 1.6 МэВ дозами 3·10¹⁴ см^-2, а также ионов кислорода с энергиями 0.28, 0.22 МэВ дозами 3·10¹⁵ см^-2. При комнатной температуре интенсивность электролюминесценции в режиме пробоя возрастает с ростом температуры отжига от 700 до 950^oC. При температурах отжига 975-1100^oC электролюминесценция эрбия в режиме пробоя не наблюдается из-за возникновения микроплазм. Интенсивность инжекционной электролюмиенсценции при 80 K убывает с ростом температуры отжига от 700 до 1100^oC.

G. Franzo, S. Coffa, F. Priolo, C. Spinella. J. Appl. Phys., 81, 2784 (1997)
N.A. Sobolev, A.M. Emel'yanov, K.F. Shtel'makh. Appl. Phys. Lett., 71, 1930 (1997)
N.A. Sobolev, A.M. Emel'yanov, S.V. Gastev, P.E. Khakuashev, Yu.A. Nikolaev, M.A. Trishenkov. MRS Symp. Proc., 486, 139 (1998)
A.M. Emel'yanov, N.A. Sobolev, A.N. Yakimenko. Appl. Phys. Lett., 72, 1223 (1998)
Н.А. Соболев, Ю.А. Николаев, А.М. Емельянов, К.Ф. Штельмах, А.Н. Якименко, М.А. Тришенков, П.Е. Хакуашев, М.И. Маковийчук, Е.О. Паршин. Изв. РАН. Сер. физ., 63, 388 (1999)
Н.А. Соболев, А.М. Емельянов, Ю.А. Николаев. ФТП, 34, 1069 (2000)
А.М. Емельянов, Н.А. Соболев, М.А. Тришенков, П.Е. Хакуашев. ФТП, 34, 965 (2000)
Н.А. Соболев, А.М. Емельянов, Ю.А. Николаев. ФТП, 33, 931 (1999)
N.A. Sobolev, A.M. Emel'yanov, R.N. Kyutt, Yu.A. Nikolaev. Sol. St. Phenomena, 67--70, 371 (1999)
J. Michel, J.I. Benton, R.F. Ferrante, D.C. Jacobson, D.J. Eaglesham, E.A. Fitzgerald, Y.-H. Xie, J.M. Poate, L.C. Kimerling. J. Appl. Phys., 70, 2672 (1991)
Н.А. Соболев, М.С. Бреслер, О.Б. Гусев, И.М. Маковийчук, Е.О. Паршин, Е.И. Шек. ФТП, 28,1995 (1994)
N.A. Sobolev, O.V. Alexandrov, M.S. Bresler, O.B. Gusev, E.I. Shek, M.I. Makovijchuk, E.O. Parshin. Mater. Sci. Forum, 196--201, 597 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель