Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование захвата электронов квантовыми точками с помощью нестационарной спектроскопии глубоких уровней
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 23 января 2001 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2001 г.
Сообщается о результатах исследований с помощью нестационарной спектроскопии глубоких уровней процессов эмиссии и захвата электронов квантовыми точками в p-n-гетероструктурах InGaAs/GaAs в зависимости от условий изохронного отжига при включенном/выключенном напряжении смещения (Ura<0 Ura=0). Эти исследования позволили установить, что при отжиге с Ura<0 происходит формирование диполя, образованного носителями, локализованными в квантовых точках, и ионизованными дефектами решетки. Электростатический потенциал этого диполя уменьшает барьер эмиссии и захвата электрона квантовой точкой. При отжиге с Ura=0 образования диполя не происходит, величина разрыва зон определяется условиями формирования гетерограницы при росте структуры. Обнаружена также зависимость высоты барьера захвата от длительности импульса заполнения, которая связывается с проявлением эффекта кулоновской блокады для захвата электронов на основное и возбужденное состояния квантовой точки. Исследуемые структуры с квантовыми точками выращивались методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений за счет эффектов самоорганизации.
- D. Bimberg, M. Grundmann, N.N. Ledentsov. Quantum Dot Heterostructures (Wiley, Chichester, 1998) p. 328
- M. Koltonyuk, D. Berman, N.B. Zhitenev, R.C. Ashoori, L.N. Pfeiffer, K.W. West. Appl. Phys. Lett., 74, 555 (1999)
- G. Yusa, H. Sakali. Appl. Phys. Lett., 70, 345 (1997)
- M. Grundmann, N.N. Ledentsov, O. Stier, D. Bimberg, V.M. Ustinov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. Appl. Phys. Lett., 68, 979 (1996)
- M.A. Cusak, P.R. Briddon, M. Jaros. Phys. Rev. B, 54, 3284 (1997)
- P.D. Siverns, S. Malik, G. McPherson, D. Childs, C. Roberts, R. Murray, B.A. Joyce, H. Davock. Phys. Rev. B, 58, R10127 (1998)
- H.L. Wang, F.H. Yang, S.L. Feng, H.J. Zhu, D. Ning, H. Wang, X.D. Wang. Phys. Rev. B, 61, 5530 (2000)
- М.М. Соболев, Ф.Р. Ковш, В.М. Устинов, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, М.В. Максимов, Н.Н. Леденцов. ФТП, 31, 1249 (1997)
- M.M. Sobolev, A.R. Kovsh, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, M.V. Maximov, N.N. Ledentsov. Proc. 19th Int. Conf. on Defects in Semicond. (Aveiro, Portugal, 1997). [Mater. Sci. Forum, 258--263, pt 3, 1619 (1997)]
- М.М. Соболев, Ф.Р. Ковш, В.М. Устинов, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, М.В. Максимов, Н.Н. Леденцов. ФТП, 33, 184 (1999)
- M.M. Sobolev, A.R. Kovsh, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov. J. Electron. Mater., 28 (5), 491 (1999)
- M.M. Sobolev, I.V. Kochnev, V.M. Lantratov, N.A. Cherkashin, V.V. Emtsev. Physica B, Condens. Mater., 273--274, 959 (1999)
- М.М. Соболев, И.В. Кочнев, В.М. Лантратов, Н.А. Берт, Н.А. Черкашин, Н.Н. Леденцов, Д.А. Бедарев. ФТП, 34, 200 (2000)
- N.N. Ledentsov, M.V. Maximov, D. Bimberg, T. Maka, S.M. Sotomayor Torres, I.V. Kochnev, I.L. Krestnikov, V.M. Lantratov, N.A. Cherkashin, Yu.M. Musikhin, Zh.I. Alferov. Semicond. Sci. Technol., 15, 604 (2000)
- D. Pons, P.M. Monney, J.C. Bourgoin. J. Appl. Phys., 51, 2038 (1980)
- J.H. Zhao, T.E. Schlesinger, A.G. Milnes. J. Appl. Phys., 62, 2865 (1987)
- Y. Toyozawa. Physica, 116B, 7 (1983)
- H. Drexler, D. Leonard, W. Hansen, J.P. Kotthaus, P.M. Petroff. Phys. Rev. Lett., 73, 2252 (1994)
- W.-H. Chang, T.M. Hsu, N.T. Yeh, J.-I. Chyi. Phys. Rev. B, 62, 13 040 (2000)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
