Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Роль азота в формировании люминесцирующих кремниевых нанопреципитатов при отжиге слоев SiO₂, имплантированных ионами Si

Качурин Г.А.¹, Яновская С.Г.¹, Журавлев К.С.¹, Ruault М.-О.²

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²CSNSM-CNRS / IN2P3, Orsay, France

Поступила в редакцию: 6 февраля 2001 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2001 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

В слои SiO₂ имплантировали ионы Si⁺ с энергией 25 кэВ дозами (1-4)·10¹⁶ см^-2 и ионы N⁺ с энергией 13 кэВ дозами (0.2-2)·10¹⁶ см^-2. Затем слои отжигались при 900-1100^oC для формирования люминесцирующих кремниевых нанопреципитатов. По спектрам фотолюминесценции следили за влиянием азота на этот процесс. Обнаружено, что при определенных соотношениях концентраций кремния и азота интенсивность фотолюминесценции заметно растет, а ее максимум смещается в коротковолновую сторону. Сделан вывод, что благодаря взаимодействию азота с избыточным кремнием увеличивается количество центров преципитации. В конечном итоге это ведет к росту числа нанокристаллов и к уменьшению их средних размеров. Несмотря на введение дополнительных центров преципитации, для образования нанокристаллов по-прежнему требовались минимальные концентрации избыточного Si порядка 10²¹ см^-3 и отжиги при температурах выше 1000^oC.

T. Shimizu-Iwayama, S. Nakao, K. Saitoh. Appl. Phys. Lett., 65, 1814 (1994)
P. Mutti, G. Gkislotti, S. Bertori, G.F. Cerofolini, L. Meda, E. Grilli, M. Guzza. Appl. Phys. Lett., 66, 851 (1995)
G.A. Kachurin, I.E. Tyschenko, K.S. Zhuravlev, N.A. Pazdnikov, V.A. Volodin, A.K. Gutakovskii, A.F. Leier, W. Skorupa, R. Yankov. Semiconductors, 31, 626 (1997)
M. Fujii, A. Mimura, S. Hayashi, K. Yamamoto, C. Urakawa, H. Ohta. J. Appl. Phys., 87, 855 (2000)
Д.И. Тетельбаум, И.А. Карпович, М.В. Степихова, В.Г. Шенгуров, К.А. Марков, О.Н. Горшков. Поверхность, N 5, 31 (1998)
S.P. Withrow, C.W. White, A. Meldrum, J.D. Budai, D.M. Hembree, jr., J.C. Barbour. J. Appl. Phys., 86, 396 (1999)
L. Patrone, D. Nelson, V. Safarov, M. Sentis, W. Marine, S. Giorgio. J. Appl. Phys., 87, 3829 (2000)
M. Fujii, S. Hayashi, K. Yamamoto. J. Appl. Phys., 83, 7953 (1998)
J. Zhao, D.S. Mao, Z.X. Lin, B.Y. Jiang, Y.H. Yu, X.H. Liu, H.Z. Wang, G.Q. Yang. Appl. Phys. Lett., 73, 1838 (1998)
J.-H. Tsai, A.-T. Yu, B.C. Shen. Japan. J. Appl. Phys., 39, L107 (2000)
I.E. Tyschenko, L. Rebohle, R.A. Yankov, W. Skorupa, A. Misiuk, G.A. Kachurin. J. Luminesc., 80, 229 (1999)
G.A. Kachurin, M.-O. Ruault, A.K. Gutakovskii, O. Kaitasov, S.G. Yanovskaya, K.S. Zhuravlev, H. Bernas. Nucl. Instr. Meth. B, 147, 356 (1999)
Г.А. Качурин, С.Г. Яновская, M.-O. Ruault, А.К. Гутаковский, К.С. Журавлев, O. Kaitasov, H. Bernas. ФТП, 34 1004 (2000)
B.H. Augustine, E.A. Irene, Y.J. He, K.J. Price, L.E. McNeil, K.N. Christensen, D.M. Macher. J. Appl. Phys., 78, 4020 (1995)
Q. Zhang, S.C. Bayliss, D.A. Hutt. Appl. Phys. Lett., 66, 1977 (1995)
Q. Zhang, S.C. Bayliss, A.Al-Aljili, D.A. Hutt, P. Harris. Nucl. Instr. Meth. B, 97, 329 (1995)
J. Zhao, D.S. Mao, Z.X. Lin, X.Z. Ding, B.Y. Jiang, Y.H. Yu, X.H. Lin, G.Q. Yang. Appl. Phys. Lett., 74, 1403 (1999)
T. Ehara, S. Machida. Thin Sol. Films, 346, 275 (1999)
K. Oyoshi, T. Tagami, S. Tanaka. J. Appl. Phys., 68, 3653 (1990)
S. Veprek, Z. Iqbal, F.-A. Sarrot. Phys. Mag. B, 45, 137 (1982)
L.A. Nesbit. Appl. Phys., 46, 35 (1985)
Г.А. Качурин, А.Ф. Лейер, К.С. Журавлев, И.Е. Тысченко, А.К. Гутаковский, В.А. Володин, В. Скорупа, Р.А. Янков. ФТП, 32, 1371 (1998)
C. Delerue, G. Allan, M. Lanno. Phys. Rev. B, 48, 11 024 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель