Ориентационная зависимость свойств поверхностных анодных окислов на CdxHg1-xTe
Средин В.Г.1, Мезин Ю.С.1, Укроженко В.М.1
1Военная академия ракетных войск стратегического назначения им. Петра Великого, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 8 февраля 2001 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2001 г.
Методом электронной спектроскопии для химического анализа проведены исследования зависимости состава анодного окисла от ориентации поверхности кристаллов CdxHg1-xTe (x=0.19). Было обнаружено, что составы окислов на поверхностях кристалла с ориентацией (111) и (100) идентичны и плавно изменяются от подложки к внешней поверхности, в то время как окисел на поверхности с ориентацией (110) содержит прослойку неокисленного теллура. Этот результат коррелирует с некоторыми известными свойствами окислов CdxHg1-xTe.
- C.R. Hill. J. Vac. Sci. Technol. A, 8 (2), 1778 (1990)
- А.В. Войцеховский, В.Н. Давыдов. Фотоэлектрические МДП структуры из узкозонных полупроводников (Томск, Радио и связь, 1990)
- В.Н. Бессолов, М.В. Лебедев. ФТП. 32, (11), 1281 (1998)
- В.Г. Средин, О.Г. Ланская, В.М. Поповнин. ФТП. 30, (3), 385 (1996)
- G.F. Wagner, D.R. Rhiger. J. Vac. Sci. Technol. A, 3 (1), 212 (1985)
- Н.Р. Аигина, Н.Н. Берченко. Зарубеж. электрон. техн., N 10 (305), 3 (1986)
- M.A. Berding, K. Srinivasan, A. Sher. J. Vac. Sci. Technol. B, 9 (3), 1858 (1990)
- Физика и химия соединений AIIBVI, под ред. М. Авена, Дж.С. Пренера (М., Мир, 1970) с. 115
- G. Ginader, A. Raizman, A. Sher. J. Vac. Sci. Technol. B, 9, 1634 (1991)
- R. Korenstein, P. Hallok, B. Mac Leod, W. Hoke, S. Ogus. J. Vac. Sci. Technol. A, 8 (2), 1039 (1990)
- L.L. Chang. Sol. St. Electron., 10, 69 (1967)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук