Фотолюминесцентные свойства поликристаллических солнечных элементов ZnO / CdS / CuInGaSe2 при низкой температуре
Медведкин Г.А.1,2, Теруков Е.И.1, Сато К.2, Хасегава Ю.2, Хиросэ К.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Факультет технологии Токийского университета сельского хозяйства и технологии, 2-24-16 Накачо, Коганэй, Токио 18, Япония
Поступила в редакцию: 26 марта 2001 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2001 г.
Изучательные свойства высокоэффективных тонкопленочных поликристаллических солнечных элементов ZnO / CdS / CuInGaSe2 исследованы при температуре T=20 K. Краевая полоса фотолюминесценции наблюдается в базовом приборе при энергии 1.191 эВ, но исчезает после испытания неинкапсулированного прибора во влажной атмосфере (относительная влажность 85%) при повышенной температуре (85oC). Длинноволновые полосы при 1.13 и 1.07 эВ, связанные с оптическими переходами через уровни дефектов в пленке - поглотителе, сохраняют интенсивность и спектральное положение. Снижение эффективности преобразования солнечного элемента после испытания обусловлено деградацией верхних широкозонных пленок и гетерограницы между CdS и CuInGaSe2.
- H.W. Schock, R. Noufi. Progr. Photovoltaics, 39, 151 (2000)
- T. Negami, Y. Hasimoto, S. Nishiwakir. Proc. 11th Int. PVSEC (1999) p. 993
- H.S. Ullal, K. Zweibel, B. von Reodern. Proc. 26th IEEE PVSC (1997) p. 301
- K. Kushiya, I. Sugiyama, M. Tachiyuki, T. Kase, Y. Nagoya, D. Okumura, M. Sato, O. Yamase, H. Takeshita. Proc. 9th Int. PVSEC (1996) p. 143
- J. Kessler, M. Bodeg rd, J. Hedstrom, L. Stolt. Techn. Digest 11th Int. Photovoltaic Science and Engineering Conf. (Sapporo, 1999) p. 631
- G.A. Medvedkin, L. Stolt, J. Wennerberg. ФТП, 33, 1037 (1999)
- G.A. Medvedkin, J. Wennerberg. Polycrystalline Semiconductors V-Bulk Materials. Thin Films and Devices, Ser. Solid State Phenomena, ed. by J.H. Werner, H.P. Strunk and H.W. Schock (Uettikon am See, Switzerland, Scitech Publ. Ltd., 1999) p. 69
- G.A. Medvedkin, J. Wennerberg. 12th Int. Conf. Ternary and Multinary Compounds (Taiwan, 2000) abstr. P2--36 [Japan. J. Appl. Phys., Suppl. 39-1 (2000)]
- J. Kessler, M. Bodegard, J. Hedstrom, L. Stolt. Proc. 16th European PVSEC (Glasgow, 2000)
- F. Karg, H. Calwer, J. Rimmasch, V. Probst, W. Reidl, W. Stetter, H. Vogt, M. Lampert. Proc. 11th Intern. Conf. Ternary and Multinary Compounds (Salford, 1997) [Inst. Phys. Ser. (Bristol and Philadelphia, IOP Publ.), 152, 909 (1998)]
- U. Rau. 12th Int. Conf. Ternary and Multinary Compounds (Taiwan, 2000) abstr. Fr-A1-1 [Japan J. Appl. Phys., Suppl. 39-1 (2000)]
- L. Stolt, M. Bodeg rd, J. Hedstrom, J. Kessler, M. Ruckh, K.O. Velthaus, H.W. Schock. Proc. 11th E.C. Photovoltaic Solar Energy Conference (Mountreux, 1992) (Harwood Academic Publisher, Chur 1993) p. 120
- G.A. Medvedkin, M.A. Magomedov, J. Appl. Phys., 82, 4013 (1997)
- T. Nishi, G.A. Medvedkin, Yu. Katsumata, K. Sato, H. Miyake. Japan. J. Appl. Phys., 40, 59 (2001)
- T. Dullweber, G. Hanna, U. Rau, H.W. Schock. Proc. 11th Int. PVSEC (1999) p. 85
- S. Choopun, R.D. Vispute, W. Noch, A. Balsamo, R.P. Sharma, T. Venkatesan, A. Iliades, D.C. Look. Appl. Phys. Lett., 75, 3947 (1999)
- S. Im, B.J. Jin, S. Yi. J. Appl. Phys., 87, 4558 (2000)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.