Представлены результаты первых наблюдений парамагнитных дефектов в кристаллах SiC, подвергнутых gamma-облучению. В кристаллах 4H-SiC : Al и 6H-SiC : Al p-типа методом электронного парамагнитного резонанса обнаружено три типа дефектов, обозначенные как gamma1,gamma2 и gamma3. Все центры имеют близкие параметры спинового гамильтониана с S=1/2 и характеризуются значительной анизотропией g-факторов. Центры gamma1 почти аксиальны относительно локальной оси z, ориентированной примерно вдоль одного из направлений связи Si-C, не совпадающей с осью c. Центры gamma2 и gamma3 имеют более низкую симметрию, хотя направление вдоль указанных связей достаточно сильно выражено. Величина максимального g-фактора g_z уменьшается в ряду от gamma1 до gamma3. Сигнал gamma1 может наблюдаться при температурах 3.5-15 K; cигналы gamma2 и gamma3 - при температурах 10-35 и 18-50 K соответственно. Для некоторых ориентаций кристалла обнаружено сверхтонкое взаимодействие неспаренного электрона центра gamma1 с ядрами изотопа ²⁹Si. Центры gamma1,gamma2 и gamma3 разрушаются при температуре 160^oC, и сделан вывод, что сигналы ЭПР этих центров принадлежат дефектам, в подрешетке C. Предполагается, что центры gamma1,gamma2 и gamma3 имеют общую природу и принадлежат низкотемпературной (gamma1) и высокотемпературным (gamma2,gamma3) модификациям одного и того же центра. Обсуждаются модели дефекта в виде вакансии углерода или комплекса, включающего примесный атом Al и атом C, занимающий кремниевую или межузельную позицию.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.