Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Трансформация при отжиге в водороде состояний на границах раздела структур кремний-на-изоляторе
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
2Объединенный институт ядерных исследований, Дубна, Россия
2Объединенный институт ядерных исследований, Дубна, Россия
Поступила в редакцию: 8 мая 2001 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2001 г.
Методом емкостной спектроскопии глубоких уровней проведено исследование изменений при отжиге спектра состояний на границе Si/SiO2, полученной прямым сращиванием, и на границе Si(подложка)/<термический SiO2> в структурах кремний-на-изоляторе. Структуры создавались методом сращивания пластин кремния с расслоением одной из пластин по плоскости, ослабленной имплантацией водорода. Отжиг структур кремний-на-изоляторе проводился при 430oC в течение 15 мин в атмосфере водорода, что соответствует стандартному режиму пассивации состояний на границе Si/SiO2. Показано, что для границы Si/<термический SiO2> в структуре кремний-на-изоляторе имеет место пассивация граничных состояний водородом, в результате чего плотность ловушек существенно уменьшается и непрерывный спектр состояний во всей зоне заменяется полосой состояний в интервале энергий Ec-(0.1/ 0.35) эВ. Для ловушек на сращённой границе Si/SiO2 происходит трансформация центров, а именно, наблюдается смещение полосы энергий состояний от Ec-(0.17/ 0.36) эВ до Ec-(0.08/ 0.22) эВ; сечение захвата на ловушки уменьшается примерно на порядок, а плотность наблюдаемых ловушек несколько увеличивается.
- P.V. Gray. IEEE Trans. Electron. Dev., 8, 88 (1969)
- С.М. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
- M. Bruel. Electron. Lett., 31, 1201 (1995)
- V.P. Popov, I.A. Antonova, V.F. Stas, L.V. Mironova, E.P. Neustroev, A.K. Gutakovskii, A.A. Franzusov, G.N. Feofanov. In: Perspectives, Science and Technologies for Novel Silicon on Insulator Devices, ed. by P.L.F. Hemment et al. (Kluwer Academic Publisher, Netherlands, 2000) p. 47
- И.В. Антонова, В.Ф. Стась, В.П. Попов, В.И. Ободников, А.К. Гутаковский. ФТП, 34, 1095 (2000)
- J.W. Farmer, C.D. Lamp, J.M. Meese. Appl. Phys. Lett., 41, 1064 (1982)
- И.В. Антонова, Й. Стано, Д.В. Николаев, О.В. Наумова, В.П. Попов, В.А. Скуратов. ФТП, 35 (8), 948 (2001)
- K. Hofmann, M. Schulz. J. Electrochem. Soc., 132, 2201 (1985)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
