Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Образование нанокристаллов кремния с выделенной ориентацией (110) в аморфных пленках Si : H на стеклянных подложках при наносекундных воздействиях ультрафиолетового излучения

Ефремов М.Д.¹, Болотов В.В.², Володин В.А.¹, Кочубей С.А.¹, Кретинин А.В.³

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Институт сенсорной микроэлектроники Сибирского отделения Российской академии наук, Омск, Россия
³Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия Novosibirsk State University, Novosibirsk, Russia

Novosibirsk State University, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 26 марта 2001 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2001 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

С применением методик комбинационного рассеяния света установлено, что в пленках аморфного кремния при наносекундных воздействиях ультрафиолетового лазерного излучения с плотностями энергии от 75 до 150 мДж/см² образуются нанокристаллы кремния с размерами от 2 нм и с выделенной ориентацией (110) по нормали к пленке. В системе взаимно ориентированных нанокристаллов Si экспериментально обнаружена анизотропная зависимость интенсивности комбинационного рассеяния света в различных поляризационных геометриях, что позволило определить объемную долю ориентированных нанокристаллов. Эффект ориентации предположительно обусловлен влиянием как макроскопических полей упругих напряжений в пленке, так и локальных полей упругих напряжений вокруг нанокристаллов.

Х. Фрицше. Аморфный кремний и родственные материалы (М., Мир, 1991)с. 214. [Пер. с англ.: H. Fritzsche Amorphous Silicon and Related Materials (Singapore--N. Y.--London--Hong Kong, World, 1989)]
J.E. Fair. Sol. St. Technol., 8, 47 (1992)
А.Б. Лиманов, В.А. Чубаренко, В.М. Борисов, А.Ю. Виноходов, А.И. Демин, О.Б. Христофоров, А.В. Ельцов, Ю.Б. Кирюхин. Микроэлектроника, 28, 30 (1999)
V.V. Bolotov, M.D. Efremov, L.I. Fedina, E.A. Lipatnikov, V.A. Volodin, I.G. Neizvestnii. Abstracts of Spring Meeting of Material Reseach Society (San Francisco, USA, 1993) p. A9.54
M.D. Efremov, V.V. Bolotov, V.A. Volodin, L.I. Fedina, E.A. Lipatnikov, I.G. Neizvestnii. Proc. 15^th Int. Conf. on Coherent and Nonlinear Optics (St. Petersburg, Russia, 1995)
M.D. Efremov, V.V. Bolotov, V.A. Volodin, L.I. Fedina, E.A. Lipatnikov. J. Phys.: Condens. Matter., 8, 273 (1996)
M.D. Efremov, V.V. Bolotov, V.A. Volodin, L.I. Fedina, A.A. Gutakovskii, S.A. Kochubei. Sol. St. Phenomena, 57--58, 507 (1997)
M.D. Efremov, V.A. Volodin, V.V. Bolotov, A.V. Vishnyakov, O.K. Shabanova, D.I. Bragin, L.I. Fedina, S.A. Kochubei. Sol. St. Phenomena, 69--70, 557 (1999)
T. Sameshima, S. Usui. J. Appl. Phys., 70, 1281 (1991)
J.E. Smith, Jr., M.H. Brodsky, B.L. Crowder, M.I. Nathan. Phys. Rev. Lett., 26, 642 (1971)
Z. Iqbal, S. Veptek, A.P. Webb, P. Capezzuto. Sol. St. Commun., 37, 993 (1981)
Jian Zi, H. Buscher, C. Falter, W. Ludwig, K. Zhang, X. Xie. Appl. Phys. Lett., 69, 200 (1996)
R. Tsu, J. G.-Hernandes, S.S. Chao, S.C. Lee, K. Tanaka. Appl. Phys. Lett., 40, 534 (1982)
H. Richter, Z.P. Wang, L. Ley. Sol. St. Commun., 39, 625 (1981)
V. Paillard, P. Puech. J. Appl. Phys., 86, 1921 (1999)
G. Bauer, W. Richter. Optical Characterization of Epitaxial Semiconductor Layers (Springer, 1996) p. 138
М.В. Волькенштейн. ДАН, 32, 185 (1941)
D. Bermejo, M. Cardona. J. Non-Cryst. Sol., 32, 405 (1978)
M.D. Efremov, V.V. Bolotov, V.A. Volodin, S.A. Kochubei. Sol. St. Commun., 108, 645 (1998)
E. Bustarret, M.A. Hachicha, M. Brunel. Appl. Phys. Lett., 52, 1675 (1988)
Yong Sun, T. Miyasato, J.K. Wigmore. Appl. Phys. Lett., 70, 508 (1997)
G.Q. Di, H. Lin, N. Uchida, Y. Kurata, K. Kuomoto, S. Hasegawa. Appl. Phys. Lett., 68, 69 (1996)
Н.М. Игонина. Автореф. канд. дис. (Новосибирск, 1985)
D.R. McKenzie, M.M.M. Bilek. J. Appl. Phys., 86, 230 (1999)
K.M.A. El-Kader, J. Oswald, J. Kocha, V. Chab. Appl. Phys. Lett., 64, 2555 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель