Варизонный детектор ионизирующего излучения
Пожела Ю.1, Пожела К.1, Шиленас А.1, Ясутис В.1, Дапкус Л.1, Киндурис А.1, Юцене В.1
1Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
Поступила в редакцию: 8 мая 2001 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2001 г.
Исследован токовый отклик варизонных слоев AlxGa1-xAs на оптическое и рентгеновское излучение. Варизонное поле в слоях AlxGa1-xAs толщиной 15 мкм с изменением x от 0 до 0.4 обеспечивает полное собирание зарядов, генерируемых ионизирующим излучением, и позволяет получить ампер-ваттную чувствительность AlxGa1-xAs до 0.25 А/Вт. В слоях с пониженным легированием узкозонной стороны варизонного слоя AlxGa1-xAs вольт-ваттная чувствительность к рентгеновскому излучению с энергией ниже 15 кэВ достигает в фотовольтаическом режиме 1.6· 103 В/Вт.
- J. Pov zela, K. Pov zela, A. v Silenas, V. Juciene, L. Dapkus, V. Jasutis, G. Tamulaitis, A. v Zukauskas, R.-A. Bendorius. Nucl. Instrum. Meth. A, 434, 169 (1999)
- J. Pov zela, K. Pov zela, A. v Silenas, V. Jasutis, L. Dapkus, V. Juciene. Lithuan. J. Phys., 39, 139 (1999)
- А.Н. Именков, Н. Назаров, Б.С. Сулейменов, Б.В. Царенков, Ю.П. Яковлев. ФТП, 12, 2377 (1978)
- Ж.И. Алфёров, В.М. Андреев, Ю.М. Задиранов, В.И. Корольков, Н. Рахимов, Т.С. Табаров. Письма ЖТФ, 4, 369 (1978)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук