Исследовано воздействие оптического излучения на внутреннее трение, связанное с электронно-механической релаксацией на глубоких уровнях в пьезополупроводниках. Установлено, что поведение внутреннего трения сильно зависит от интенсивности, длины волны излучения и температуры образца. На спектральной зависимости внутреннего трения имеется аномальный пик в области фундаментального поглощения, который ассоциируется с вытеснением области оптического поглощения к облучаемой поверхности. Обнаружен эффект медленной релаксации внутреннего трения после выключения света. Предложена модель, связывающая медленную релаксацию с термическим опустошением центров прилипания.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.