Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Инжекционное возбуждение люминесценции в многослойных структурах nc-Si/диэлектрик

Берашевич Ю.А.¹, Каменев Б.В.², Борисенко В.Е.¹

¹Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, Minsk, Belarus

Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, Minsk, Belarus

²IMEL/NCSR Demokritos, Athens, Greece

Поступила в редакцию: 14 мая 2001 г.

Выставление онлайн: 20 января 2002 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Предложена модель рекомбинации неравновесных носителей заряда в многослойных структурах нанокристаллический Si-диэлектрик. Установлено, что ограничение переноса носителей заряда через локализованные состояния в диэлектрике ведет к нелинейному росту интенсивности электролюминесценции с увеличением протекающего через структуру тока. Последующий переход этой зависимости в режим насыщения связан с возрастанием роли рекомбинации Оже при увеличении тока. Снижение вклада безызлучательного процесса Оже можно достичь увеличением концентрации наноразмерных кластеров в кремнии и числа периодов структуры. Показано, что одним из основных путей увеличения интенсивности электролюминесценции является увеличение концентрации дырок на инжектирующем их контакте.

L.T. Canham. Appl. Phys. Lett., 57, 1046 (1990)
L. Tsybeskov, K.D. Hirschman, S.P. Duttagupta, M. Zacharias, P.M. Fauchet, J.P. McCaffrey, D.J. Lockwood. Appl. Phys. Lett., 72 (1), 43 (1998)
G. Pucker, P.B. Bellutti, C. Spinella, K. Gatterer, M. Cazzanelli, L. Pavesi. J. Appl. Phys., 88 (10), 6044 (2000)
P. Photopoulos, A.G. Nassiopoulou. Appl. Phys. Lett., 77, 1816 (2000)
V.I. Klimov, Ch.J. Schwarz, D.W. McBranch, C.W. White. Appl. Phys. Lett., 73 (18), 2603 (1998)
Y. Kanemitsu, T. Ogawa, K. Shiraishi, K. Takeda. Phys. Rev. B, 48, 4883 (1993)
D.J. Lokwood, Z.H. Liu, J.M. Baribeau. Phys. Rev. Lett., 76, 539 (1996)
F. Bassani, L. Vervoot, I. Mihalescu, J.C. Vial, F. Amaud d'Avitaya. J. Appl. Phys., 79, 4066 (1996)
M. Zacharias, L. Tsybeskov, K.D. Hirschman, P.M. Fauchet, J. Balsing, P. Kohlert, P. Veit. J. Non-Cryst. Sol., 227--230, 1132 (1998)
V. Vinciguerra, G. Franzo, F. Priolo, F. Iacona, C. Spinella. J. Appl. Phys., 87 (11), 8165 (2000)
D. Kovalev, H. Hecler, G. Polisski, F. Koch. Phys. St., Sol. (b), 215, 871 (1999)
Ю.А. Берашевич, А.Л. Данилюк, А.Н. Холод, В.Е. Борисенко. ФТП, 35 (1), 110 (2001)
M. Lannoo, C. Delerue, G. Allan. Phys. Rev. Lett., 74 (17), 3415 (1995)
C. Delerue, M. Lannoo, G. Allan. Phys. Rev. Lett., 84 (11), 2457 (2000)
V. Ioannou-Sougleridis, T. Ouisse, A.G. Nassiopoulou, F. Bassani, F. Arnaud d'Avitaya. J. Appl. Phys., 89 (1), 610 (2001)
J.M. Shannon, B.A. Morgan. J. Appl. Phys., 86 (3), 1548 (1999)
C. Svensson, I. Lundstrom. J. Appl. Phys., 44, 4657 (1973)
Spectroscopy of Isolated and Assembled Semiconductor Nanocrystals. Ed. by L.E. Brus, Al.L. Efros, T. Itoh. J. Luminesc., 70 (1996)
G. Pucke, Z. Caburro, V. Mulloni, C. Mazzoleni, L. Pavesi. European projects: Silicon Modules for Integrated Light Engineering (Marseille, France, 2000) p. 133

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель