Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Оптимальное легирование дрейфовой области монополярных диодов и транзисторов

Кюрегян А.С.¹

¹Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина, Москва, Россия All-Russia Electrical Engineering Institute, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 20 марта 2001 г.

Выставление онлайн: 20 января 2002 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Получено точное аналитическое решение задачи минимизации сопротивления дрейфовой области мощных монополярных приборов. Показано, что оптимальный профиль легирования N(x) имеет минимум в центральной части дрейфовой области и неограниченно возрастает при приближении к обеим ее границам.

B.J. Baliga. Modern power devices (Singapore, 1987) p. 154
И.В. Грехов, Ю.Н. Сережкин. Лавинный пробой p-n-переходов в полупроводниках (Л., 1980)
А.С. Кюрегян, С.Н. Юрков. ФТП, 23, 1819 (1989)
А.С. Тагер, В.М. Валь-Перлов. Лавинно-пролетные диоды и их применение в технике СВЧ (М., Сов. радио, 1968)
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984). [Пер. с англ.: S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices, John Wiley and Sons, Inc. (N.Y.--Chichester--Bribane--Toronto--Singapore, A Wiley-Interscience Publication, 1981)
А.А. Лебедев, В.Е. Челноков. ФТП, 33, 1096 (1999)
K. Shenai, R.S. Scott, B.J. Baliga. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-36, 1811 (1989)
C. Hu. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-26, 243 (1979)
Г. Корн, Т. Корн. Справочник по математике для научных работников и инженеров (М., Наука, 1968). [Пер. с англ.: G.A. Korn, T.M. Korn. Mathematical Handbook for Scientists and Engineers (N.Y.--Toronto--London, McGraw-Hill Book Company, Inc., 1961)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель