Кластеризация дефектов и примесей в гидрогенизированном монокристаллическом кремнии
Абдуллин Х.А.1, Горелкинский Ю.В.1, Мукашев Б.Н.1, Токмолдин С.Ж.1
1Физико-технический институт Министерства образования и науки Республики Казахстан, Алматы, Казахстан
Поступила в редакцию: 4 апреля 2001 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2002 г.
Проведен анализ полученных к настоящему времени результатов по исследованию особенностей процессов дефектообразования в гидрогенизированном монокристаллическом кремнии. Показано, что наряду с другими эффектами взаимодействие атомов водорода с радиационными дефектами и примесями приводит к формированию крупных кластеров трех основных типов: вакансионных, межузельных и примесных. Основное условие, приводящее к образованию таких кластеров, это одновременное наличие в образце пересыщенных растворов водорода и дефектов. Взаимодействие водорода с примесями и дефектами инициирует распад пересыщенного раствора дефектов и примеси с образованием преципитатов. Это приводит к формированию кластеров, которые не наблюдаются в отсутствие водорода. Обсуждаются механизмы образования кластеров и их структура.
- Hydrogen in Semiconductors, ed. by J.I. Pancove, N.M. Johnson (San Diego, Academic Press, 1991)
- S.J. Pearton, J.W. Corbett, M. Stavola. Hydrogen in Crystalline Semiconductors (Springer Verlag, 1992)
- Hydrogen in Semiconductors II, ed. by N.H. Nickel (San Diego, Academic Press, 1999)
- S.J. Uftring, Michael Stavola, P.M. Williams, G.D. Watkins. Phys. Rev. B, 51, 9612 (1995)
- J. Weber. Proc. 24th Int. Conf. Phys. Semicond., ed. by D. Gershoni (World Scientific, 1999) p. 209
- V.P. Markevich, M. Suezawa, K. Sumino. Mater. Sci. Forum, 196--201, 915 (1995)
- R.E. Pritchard, M.J. Ashvin, J.H. Tucker, R.C. Newman, E.C. Lightowlers, M.J. Binns, S.A. McQuaid, R. Falster. Phys. Rev. B, 56, 23 118 (1997)
- R.E. Pritchard, M.J. Ashvin, J.H. Tucker, R.C. Newman, E.C. Lightowlers, T. Gregorkievicz, I.S. Zevenbergen, C.A.J. Ammerlaan, R. Falster, M.J. Binns. Semicond. Sci. Technol., 12, 1404 (1997)
- I.S. Zevenbergen, T. Gregorkiewicz, C.A.J. Ammerlaan. Phys. Rev. B, 51, 16 746 (1995)
- H.J. Stein. J. Electron. Mater., 4, 159 (1975)
- Yu.V. Gorelkinskii, Kh.A. Abdullin, B.N. Mukashev. Physica B, 273--274, 171 (1999)
- B.N. Mukashev, S.Zh. Tokmoldin, M.F. Tamendarov, V.V. Frolov. Physica B, 170, 545 (1991)
- M. Suezawa. Physica B, 273--274, 224 (1999)
- Yu.V. Gorelkinskii, N.N. Nevinnyi. Physica B, 170, 155 (1991)
- N.M. Johnson, C. Herring, C.G. Van de Walle. Phys. Rev. Lett., 73, 130 (1994)
- R. Murray. Physica B, 170, 115 (1991)
- M.J. Binns, C.A. Londos, S.A. McQuaid, R.C. Newman, N.G. Semaltianos, J.H. Tucher. J. Mater. Sci.: Materials in Electronics, 7, 347 (1996)
- R.C. Newman. J. Phys.: Condens. Matter, 12, R335 (2000)
- R. Jones, S. Oberg, A. Umerski. Mater. Sci. Forum, 83--87, 551 (1992)
- S.K. Estreicher. Phys. Rev. B, 41, 9886 (1990)
- Y.H. Lee, Y.M. Kim, J.W. Corbett. Rad. Eff. 15, 77 (1972)
- Y.H. Lee, N.N. Gerasimenko, J.W. Corbett. Phys. Rev. B, 14, 4506 (1976)
- Y.H. Lee, J.W. Corbett. Phys. Rev., 8, 2810 (1974)
- Y.H. Lee, J.W. Corbett. Phys. Rev., 13, 2653 (1976)
- G.D. Watkins, J.W. Corbett. Phys. Rev., 134, A1359 (1964)
- G.D. Watkins, J.W. Corbett. Phys. Rev., 138, A543 (1965)
- K.L. Brower. Rad. Eff., 8, 213 (1971)
- A.A. Kaplyanskii. Opt. Spektrosk. (USSR), 16, 329 (1964)
- G.D. Watkins. Phys. Rev. B, 12, 5824 (1975)
- J.L. Hastings, S.K. Estreicher, P.A. Fedders. Phys. Rev. B, 56, 10 215 (1997)
- A.S. Kaminskii, E.V. Lavrov, V.A. Karasyuk, M.L.W. Thewalt. Phys. Rev. B, 50, 7338 (1994)
- A.N. Safonov, E.C. Lightowlers. Mater. Sci. Eng. B, 58, 39 (1999)
- B. Hourahine, R. Jones, A.N. Safonov, S. Oberg, P.R. Briddon, S.K. Estreicher. Physica B, 273--274, 176 (1999)
- B. Hourahine, R. Jones, A.N. Safonov, S. Oberg, P.R. Briddon, S.K. Estreicher. Phys. Rev. B, 61, 12 594 (2000)
- N.N. Gerasimenko, M. Rolle, L.J. Cheng, Y.H. Lee, J.C. Corelli, J.W. Corbett. Phys. St. Sol. (b), 90, 689 (1978)
- B.N. Mukashev, M.F. Tamendarov, S.Zh. Tokmoldin. Mater. Sci. Forum, 38--41, 1039 (1989)
- S.Zh. Tokmoldin, B.N. Mukashev, Kh.A. Abdullin, Yu.V. Gorelkinskii. Physica B, 273--274, 204 (1999)
- B.B. Nielsen, L. Hoffmann, M. Budde. Mater. Sci. Eng. B, 36, 259 (1996)
- L.C. Kimerling. Inst. Phys. Conf. Ser., 31, 221 (1977)
- Y.H. Lee, K.L. Wang, A. Jaworowski, P.M. Mooney, L.J. Cheng, J.W. Corbett. Phys. St. Sol. (a), 57, 697 (1980)
- L.C. Kimerling, M.J. Asom, J.L. Benton, P.J. Drevinsky, C.E. Caefer. Mater. Sci. Forum, 38--41, 141 (1989)
- П.В. Кучинский, В.М. Ломако, А.П. Петрунин. ФТП, 23, 1625 (1989)
- G.D. Watkins. Mater. Sci. Forum, 143--147, 9 (1994)
- A. Endros, W. Kruhler, J. Grabmaier. Mater. Sci. Eng. B, 4, 35 (1989)
- N.M. Johnson, F.A. Ponce, R.A. Street, R.J. Nemanich. Phys. Rev. B, 35, 4166 (1987)
- S. Muto, S. Takeda, M. Hirata. Mater. Sci. Forum, 143--147, 897 (1994)
- J.N. Heyman, J.W. Ager, E.E. Haller, N.M. Johnson, J. Walker, C.M. Donald. Phys. Rev. B, 45, 13 363 (1992)
- Ch.G. Van de Walle, P.J.H. Denteneer, Y. Bar-Yam, S.T. Pantelides. Phys. Rev. B, 39, 10 791 (1989)
- S.B. Zhang, W.B. Jackson. Phys. Rev. B, 43, 12 142 (1991)
- Early Stages of Oxygen Precipitation in Silicon, ed. by R. Jones [NATO Book Series (Kluwer Academic Publishers, Dordrecht, 1996)]
- S.H. Muller, M. Sprenger, E.G. Sieverts, C.A.J. Ammerlaan. Sol. St. Commun., 25, 987 (1978)
- J.M. Trombetta, G.D. Watkins, J. Hage, P. Wagner. J. Appl. Phys., 81, 1109 (1997)
- R.C. Newman, J.H. Tucker, N.G. Semaltianos, E.C. Lightowlers, T. Gregorkiewicz, I.S. Zevenbergen, C.A.J. Ammerlaan. Phys. Rev. B, 54, R6803 (1996)
- T. Gregorkiewicz, D.A. van Wezep, H.H.P.Th. Bekman, C.A.J. Ammerlaan. Phys. Rev. B, 35, 3810 (1987)
- J. Michel, J.R. Niklas, J.-M. Spaeth. Phys. Rev. B, 40, 1732 (1989)
- Y. Ohmura, Y. Zohta, M. Kanazawa. Phys. St. Sol. (a), 15, 93 (1973)
- Yu.V. Gorelkinskii, V.O. Sigle, Zh.S. Takibaev. Phys. St. Sol. (a), 22, K55 (1974)
- J. Hartung, J. Weber. J. Appl. Phys., 77 (1), 118 (1995)
- Yu.V. Gorelkinskii, N.N. Nevinnyi, Kh.A. Abdullin. J. Appl. Phys., 84, 4847 (1998)
- Yu.V. Gorelkinskii, N.N. Nevinnyi. Nucl. Instrum. Meth., 209/210, 677 (1983)
- Yu.V. Gorelkinskii. Semicond. Semimet. 61, 25 (1999)
- J. Hartung, J. Weber. Phys. Rev. B, 48, 14 161 (1993)
- S.Zh. Tokmoldin, B.N. Mukashev, Kh.A. Abdullin, Yu.V. Gorelkinskii, B. Pajot. Mater. Sci. Eng. B, 71, 263 (2000)
- R.C. Newman, M.J. Ashwin, R.E. Pritchard, J.H. Tucker. Phys. St. Sol. (b), 210, 519 (1998)
- Ch.G. Van de Walle, R.A. Street. Phys. Rev. B, 49, 14 766 (1994)
- M. Kohyama, S. Takeda. Phys. Rev. B, 60 (11), 8075 (1999)
- B.J. Coomer, J.P. Goss, R. Jones, S. Oberg, P.R. Briddon. Physica B, 273--274, 505 (1999)
- В.П. Маркевич, Л.И. Мурин, J.L. Lindstrom, M. Suezawa. ФТП, 34, 1039 (2000)
- J.R. Troxell, A.P. Chatterjee, G.D. Watkins, L.C. Kimerling. Phys. Rev. B, 19, 5336 (1979)
- Kh.A. Abdullin, B.N. Mukashev, Yu.V. Gorelkinskii. Appl. Phys. Lett., 71, 1703 (1997)
- Ю.В. Горелкинский, Б.Н. Мукашев, Х.А. Абдуллин. ФТП, 32, 421 (1998)
- G.A. Baraff, M. Schluter. Phys. Rev. B, 30, 3460 (1984)
- G.D. Watkins. In: Radiation Damage in Semiconductors (Paris, 1964) p. 97
- J.N. Heyman, J.W. Ager, E.E. Haller, N.M. Johnson, J. Walker, C.M. Doland. Phys. Rev. B, 45, 13 363 (1992)
- N.H. Nickel, G.B. Anderson, N.M. Johnson, J. Walker. Phys. Rev. B, 62, 8012 (2000)
- M. Bruel. Electron. Lett., 31, 1201 (1995).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
