Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Особенности рекомбинации неравновесных носителей заряда в образцах пористого кремния с различной морфологией наноструктур
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия 
Поступила в редакцию: 25 июня 2001 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2002 г.
Выполнено сравнительное исследование фотолюминесценции пористого кремния с различной морфологией наноструктур и пластин кристаллического кремния, на которых они были сформированы. Установлено, что интенсивность фотолюминесценции мезопористого кремния зависит квадратично от интенсивности возбуждающего излучения, тогда как для нанопористого кремния наблюдается линейная зависимость от интенсивности возбуждения. Предложена модель рекомбинационных процессов в системах полупроводниковых нанокристаллов. Полученные экспериментальные результаты находятся в хорошем согласии с выводами модели.
- T. Schmidt, K. Lischka, W. Zulehner. Phys. Rev. B, 45, 8989 (1992)
- D. Kovalev, H. Heckler, G. Polisski, F. Koch. Phys. St. Sol. (b), 215, 871 (1999)
- A.G. Cullis, L.T. Canham, P.D.J. Calcott. J. Appl. Phys., 82, 909 (1997)
- O. Bisi, S. Ossicini, L. Pavesi. Surf. Sci. Rep., 38, 1 (2000)
- W. Theis. Surf. Sci. Rep., 29, 91 (1997)
- L. Pavesi. La Rivista dei Nuovo Chimento, 20, 1 (1997)
- L. Tsybeskov, K.L. Moore, D.G. Hall, P.M. Fauchet. Phys. Rev. B, 54, R8361. (1996)
- G. Mauckner, J. Hamann, W. Rebitzer, T. Baier, K. Thonke, R. Sauer. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 358, 489 (1995)
- П.К. Кашкаров, Б.В. Каменев, Е.А. Константинова, А.И. Ефимова, А.В. Павликов, В.Ю. Тимошенко. УФН, 168, 577 (1998)
- I.H. Cambell, P.M. Fauchet. Sol. St. Commun, 58, 739 (1986)
- В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников (Киев, Наук. думка, 1987)
- Y.M. Niquet, C. Delerue, A. Allan, M. Lannoo. Phys. Rev. B, 62, 5109 (2000)
- G. Bomchil, A. Halimaoi, R. Herino. Appl. Surf. Sci., 41/42, 604 (1989)
- В.Ф. Киселев, О.В. Крылов. Электронные процессы в адсорбции и катализе на полупроводниках и диэлектриках (М., Наука, 1979)
- E.A. Konstantinova, P.K. Kashkarov, V.Yu. Timoshenko. Phys. of Low-Dim. Structur, 12, 127 (1996)
- H.J. Bardeleben, D. Stievenard, A. Grosman, C. Ortega, J. Siejka. Phys. Rev. B, 47, 10 899 (1993)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
