Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2002, выпуск 3 » Статья стр. 355
<<<>>>
Перенос носителей заряда в пористом кремнии
Аверкиев Н.С.1, Казакова Л.П.1, Смирнова Н.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 2 августа 2000 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2002 г.
PDF версия
Проведено исследование переноса носителей заряда в слоях пористого кремния методом измерения времени пролета в режиме сильной инжекции в интервале температур T=290-350 K и напряженности электрического поля F=(1.5-1.7)· 104 В/см. Получено, что значения дейфовых подвижностей электронов и дырок составляют mue~2· 10-3 см2/В· с и muh~ 6· 10-4 см2/В· с при T=292 K и F=4· 104 В/см. Установлена экспоненциальная зависимость дрейфовой подвижности от температуры с энергией активации ~ 0.38 и ~ 0.41 эВ для электронов и дырок соответственно. Показано, что характер зависимостей от времени фототока, соответствующего дрейфу носителей заряда, и сверхлинейная зависимость времени пролета от величины, обратной приложенному к образцу напряжению, позволяют использовать представления о токе, ограниченном пространственным зарядом, в условиях аномального дисперсионного переноса. Экспериментальные данные объяснены в модели переноса, контролируемого захватом носителей на локализованные состояния, распределение которых по энергии вблизи краев зоны проводимости и валентной зоны описывается экспоненциальным законом с характеристической энергией ~0.03 эВ.
  1. L.A. Balagurov, S.C. Bayliss, A.F. Orlov, B. Unal, D.G. Yarkin. Abstracts Int. Conf. "Porous Semiconductors --- Science and Technology" (Madrid, Spain, 2000) p. 53
  2. A.G. Cullis, L.T. Canham, P.D.J. Calcott. J. Appl. Phys., 82, 909 (1997)
  3. B. Das, S.P. McGinnis. Semicond. Sci. Technol., 14, 998 (1999)
  4. J.A. Roger, M.G. Blanchin, B. Canut, V.S. Teodorescu, S. Letant, J.C. Vial. Semicond. Sci. Technol., 14, L29 (1999)
  5. M. Stewart, E.G. Robins, T.W. Geders, M.J. Allen, H.Ch. Choi, J.M. Buriak. Abstracts Int. Conf. "Porous Semiconductors --- Science and Technology" (Madrid, Spain, 2000) p. 31
  6. M. Balucani, V. Bondarenko, G. Lamedica, V.A. Yakovtseva, A. Ferrari. Appl. Phys. Lett., 74, 1960 (1999)
  7. Э.А. Лебедев, Г. Полисский, В. Петрова-Кох. ФТП, 30, 1468 (1996)
  8. E.A. Lebedev, E.A. Smorgonskaya, G. Polisski. Phys. Rev. B, 57, 14 607 (1998)
  9. Н.С. Аверкиев, Л.П. Казакова, Э.А. Лебедев, Н.Н. Смирнова. ФТП, 35, 93 (2001)
  10. W.E. Spear. J. Non-Cryst. Sol., 1, 197 (1969)
  11. М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973). [Пер. с англ.: М.А. Lampert, P. Mark. Current injection in solids (N. Y.--London, Academic Press, 1970)]
  12. M. Silver, E. Snow, D. Wesson, K. Okamoto. J. Non-Cryst. Sol., 66, 237 (1984)
  13. A.F. Rudenko, V.I. Arkhipov. Phil. Mag. B, 45, 189 (1982)
  14. Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, под ред. К.Д. Цэндина (СПб., Наука, 1996)
  15. В.И. Архипов, Э.А. Лебедев, А.И. Руденко. ФТП, 15, 712 (1981)
  16. C.E. Nebel, R.A. Street. Phil. Mag. B, 67, 721 (1993)
  17. J. Kov cka, O. Klima, E. v Sipek, C.E. Nebel, G.H. Bauer, G. Juv ska, M. Hoheisel. Phys. Rev. B, 45, 6593 (1992)
  18. Л.П. Казакова, А.А. Лебедев, Э.А. Лебедев. ФТП, 31, 609 (1997)
  19. S. Komuro, T. Kato, T. Morikana, P. O'Keeffe, Y. Aoyagi. J. Appl. Phys., 80, 1749 (1996)
  20. V.I. Arkhipov, M.S. Iovu, A.I. Rudenko, S.D. Shutov. Phys. St. Sol. (a), 54, 67 (1979)
  21. В.И. Архипов, Л.П. Казакова, Э.А. Лебедев, А.И. Руденко. ФТП, 21, 724 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme