Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2002, выпуск 3 » Статья стр. 364
<<<>>>
Анализ пороговой плотности тока и усиления в квантово-размерных лазерах на основе твердых растворов InGaAsP
Пихтин Н.А.1, Слипченко С.О.1, Соколова З.Н.1, Тарасов И.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 2 августа 2001 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2002 г.
PDF версия
Исследованы одномодовые и многомодовые лазерные диоды с длиной волны излучения 1.0 и 1.58 мкм, изготовленные из квантово-размерных гетероструктур раздельного ограничения методом газофазной эпитаксии из металлогранических соединений. На основе экспериментальных зависимостей пороговой плотности тока и дифференциальной квантовой эффективности от длины резонатора лазерных диодов проведен анализ пороговой плотности тока и усиления. В рамках модельных представлений получено разложение порогового тока на основные составляющие. Использованы теоретические приближения, учитывающие оже-рекомбинацию, выброс электронов из квантовых ям в волноводные слои и растекание тока в пассивные области меза-полоскового лазера.
  1. Р.Ф. Казаринов, О.В. Константинов, В.И. Перель, А.Л. Эфрос. ФТТ, 7, 1506 (1965)
  2. Ж.И. Алфёров, В.М. Андреев, Д.З. Гарбузов, Ю.В. Жиляев, Е.П. Морозов, Е.Л. Портной, В.Г. Трофим. ФТП, 4, 1826 (1970)
  3. F. Stern. IEEE. J. Quant. Electron., QE-9, 290 (1973)
  4. Д.З. Гарбузов, В.П. Евтихиев, С.Ю. Карпов, З.Н. Соколова, В.Б. Халфин. ФТП, 19, 449 (1985)
  5. В.П. Евтихиев, Д.З. Гарбузов, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов, В.Б. Халфин, В.П. Чалый, А.В. Чудинов. ФТП, 19, 1420 (1985)
  6. И.С. Тарасов, Д.З. Гарбузов, В.П. Евтихиев, А.В. Овчинников, З.Н. Соколова, А.В. Чудинов. ФТП, 19, 1496 (1985)
  7. Д.З. Гарбузов, А.В. Тикунов, С.Н. Жигулин, З.Н. Соколова, В.Б. Халфин. ФТП, 22, 1035 (1988)
  8. P.W.A. McIlroy, A. Kurobe, Y. Uematsu. IEEE J. Quant. Electron., QE-21, 1958 (1985)
  9. J.Z. Wilcox, G.L. Peterson, S. Ou, J.J. Yang, M. Jansen. J. Appl. Phys., 64, 6564 (1988)
  10. S.Y. Hu, S.W. Corzine, K.K. Law, D.B. Young, A.C. Gossard, L.A. Coldren, J.L. Merz. J. Appl. Phys., 76, 4479 (1994)
  11. T. Makino. IEEE J. Quant. Electron., QE-32, 493 (1996)
  12. J.E.A. Whiteaway, G.H.B. Thompson, P.D. Green, R.W. Glew. Electron. Lett., 27, 340 (1991)
  13. Б.Л. Гельмонт, З.Н. Соколова, И.Н. Яссиевич. ФТП, 16, 592 (1982)
  14. Б.Л. Гельмонт, З.Н. Соколова. ФТП, 16, 1670 (1982)
  15. Г.Г. Зегря, В.А. Харченко. ЖЭТФ, 101, 327 (1992)
  16. M.I. Dyakonov, V.V. Kocharovskii. Phys. Rev. B, 49, 17 130 (1994)
  17. L.V. Asryan, N.A. Gunko, A.S. Polkovnikov, G.G. Zegrya, R.A. Suris, P.K. Lau, T. Makino. Semicond. Sci. Technol., 15, 1131 (2000)
  18. А.Р. Ковш, А.Е. Жуков, А.Ю. Егоров, В.М. Устинов, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, А.Ф. Цацульников, П.С. Копьев. ФТП, 33, 215 (1999)
  19. D.A. Livshits, I.V. Kochnev, V.M. Lantratov, N.N. Ledentsov, T.A. Nalyot, I.S. Tarasov, Zh.I. Alferov. Electron. Lett., 36, 1848 (2000)
  20. Д.А. Лившиц, А.Ю. Егоров, И.В. Кочнев, В.А. Капитонов, В.М. Лантратов, Н.Н. Леденцов, Т.А. Налет, И.С. Тарасов. ФТП, 35, 380 (2001)
  21. Е.Г. Голикова, В.А. Курешов, А.Ю. Лешко, Д.А. Лившиц, А.В. Лютецкий, Д.Н. Николаев, Н.А. Пихтин, Ю.А. Рябоштан, С.О. Слипченко, И.С. Тарасов, Н.В. Фетисова. Письма ЖТФ, 26 (20), 40 (2000)
  22. Е.Г. Голикова, В.А. Горбылев, Ю.В. Ильин, В.А. Курешов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Ю.А. Рябоштан, В.А. Симаков, И.С. Тарасов, Е.А. Третьякова, Н.В. Фетисова. Письма ЖТФ, 26 (7), 57 (2000)
  23. Е.Г. Голикова, В.А. Курешов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Ю.А. Рябоштан, Г.А. Скрынников, И.С. Тарасов, Ж.И. Алфёров. ФТП, 34, 886 (2000)
  24. А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Г.А. Скрынников, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов, Н.В. Фетисова. ФТП, 34, 1457 (2000)
  25. S. Adachi. Physical Properties of III-V Semiconductor Compounds (John Wiley \& Sons Inc., 1992)
  26. Д.З. Гарбузов, А.В. Овчинников, Н.А. Пихтин, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов, В.Б. Халфин. ФТП, 25, 929 (1991)
  27. B. Broberg, S. Lingren. J. Appl. Phys., 55, 3376 (1984)
  28. Д.З. Гарбузов, В.В. Агаев, З.Н. Соколова, В.Б. Халфин, В.П. Чалый. ФТП, 18, 1069 (1984)
  29. M.C. Wang, K. Kash, C.E. Zah, R. Bhat, S.L. Chuang. Appl. Phys. Lett., 62, 166 (1993)
  30. Y. Zou, J.S. Osinski, P. Grodzinski, P.D. Dapkus, W. Rudeout, W.F. Sharfin, F.D. Grawford. Appl. Phys. Lett., 62, 175 (1993)
  31. L. Davis, Y. Lam, D. Nichols, J. Singh, P.K. Bhattacharya. IEEE Photon. Technol. Lett., 5, 120 (1993)
  32. M.R. Gokhale, J.C. Dries, P.V. Studenkov, S.R. Forrest, D.Z. Garbuzov. IEEE J. Quant. Electron., QE-33, 2266 (1997)
  33. З.Н. Соколова, В.Б. Халфин. ФТП, 23, 1806 (1989)
  34. Г.Г. Зегря, Н.А. Пихтин, Г.В. Скрынников, С.О. Слипченко, И.С. Тарасов. ФТП, 35, 1001 (2001)
  35. P.J.A. Thijs, L.F. Tiemeijer, J.J.M. Binsma, T. Van Dongen. IEEE J. Quant. Electron., 30, 477 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme