Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Электрофизические свойства слоев кремния, имплантированных ионами эрбия и кислорода в широком диапазоне доз и термообработанных в различных температурных режимах
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия 
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 4 сентября 2001 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2002 г.
Исследованы электрофизические свойства кремния, имплантированного ионами эрбия и кислорода в широком диапазоне доз. Определена зависимость подвижности электронов от концентрации электрически активных центров в слоях кремния, легированного эрбием в диапазоне концентраций 9·1015-8·1016 см-3. При дозах имплантации ионов эрбия, превышающих пороговую дозу аморфизации, на концентрационных профилях распределения электрически активных центров n(x) и атомов эрбия C(x) наблюдаются изломы, связанные с особенностями процесса сегрегации Er при твердофазной эпитаксиальной перекристаллизации. Вблизи поверхности профили n(x) и C(x) практически совпадают. При дозах имплантации ионов эрбия выше порога аморфизации наблюдается линейный рост максимальной концентрации электрически активных центров при примерно постоянном эффективном коэффициенте их активации k. При концентрации эрбия свыше 7·1019 см-3 происходит насыщение концентрации вводимых электрически активных центров и падение k.
- Н.А. Соболев. ФТП, 29, 1153 (1995)
- J. Michel, L.V.C. Assali, M.T. Morse, L.C. Kimerling. Semiconductors and Semimetals (San Diego, Academic Press, 1998) v. 49, 111
- F. Priolo, S. Coffa, G. Franzo, C. Spinella, A. Carnera, V. Bellani. J. Appl. Phys., 74, 4936 (1993)
- J. Michel, J. Palm, X. Duan, E. Quellette, S.F. Nelson, S.H. Ahm, L.C. Kimerling. Mater. Sci. Forum., 258--263, 1485 (1997)
- J.L. Benton, J. Michel, L.C. Kimerling, D.C. Jacobson, Y.-H. Xie, D.S. Eaglesham, E.A. Fitzgerald, J.M. Poate. J. Appl. Phys., 70, 2667 (1991)
- D.J. Eaglesham, J. Michel, E.A. Fitzgerald, D.C. Jacobson, J.M. Poate, J.L. Benton, A. Polman, Y.-H. Xie, L.C. Kimerling. Appl. Phys. Lett., 58, 2797 (1991)
- О.В. Александров, А.О. Захарьин, Н.А. Соболев, Е.И. Шек. Изв. ГЭТУ, 516, 48 (1998)
- S. Coffa, F. Priolo, G. Franzo, V. Bellani, A. Carnera, C. Spinella. Phys. Rev. B, 48, 11 782 (1993)
- О.В. Александров, А.О. Захарьин, Н.А. Соболев. ФТП, 36, 134 (2002)
- D.M. Caughey, R.E. Thomas. Proc. IEEE, 55, 2192 (1967)
- В.В. Емцев, В.В. Емцев (мл.), Д.С. Полоскин, Н.А. Соболев, Е.И. Шек, J. Michel, L.C. Kimerling. ФТП, 33, 649 (1999)
- V.V. Emtsev, V.V. Emtsev, Jr., D.S. Poloskin, E.I. Shek, N.A. Sobolev, J. Michel, L.C. Kimerling. ФТП, 33, 1192 (1999)
- G. Kaiblinger-Grujin, H. Kosina, S. Selberherr. J. Appl. Phys., 83, 3096 (1998)
- О.В. Александров, Ю.А. Николаев, Н.А. Соболев. ФТП, 33, 114 (1999)
- О.В. Александров, Н.А. Соболев, Е.И. Шек, А.В. Меркулов. ФТП, 30, 876 (1996)
- L. Pelaz, G.H. Gilmer, M. Jaraiz, S.B. Herner, H.-J. Gossmann, D.J. Eaglasham, G. Hobler, C.S. Rafferty, J. Barbolla. Appl. Phys. Lett., 73, 1421 (1998)
- R.A. Devine, D. Mathiot, W.L. Warren, B. Asper. J. Appl. Phys., 79, 2302 (1996)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
