Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Особенности оптическиx свойств твердых растворов AlxGa1-xN
Дейбук В.Г.1, Возный А.В.1, Слетов М.М.1, Слетов А.М.1
1Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина 
Поступила в редакцию: 3 сентября 2001 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2002 г.
В оптических спектрах отражения тонких пленок Al0.1Ga0.9N, осажденных на подложки из сапфира, наблюдались особенности в области 4.0-5.5 эВ, что подтверждается модуляционными спектрами и спектрами фоточувствительности. Данные особенности можно объяснить на основе учета биаксиальной деформации при расчетах диэлектрической функции в псевдопотенциальном подходе.
- Shuji Nakamura. Introduction to Nitride Semiconductor Blue Lasers and Light Emitting Diodes (Taylor \& Francis, London, 2000)
- H. Markoc. Nitride Semiconductors and Devices (Springer Verlag, Berlin, 1999)
- Data in Science and Technology: Semiconductors, ed. by O. Madelung (Springer Verlag, Berlin, 1991)
- L.K. Teles, J. Furthmuller, L.M.R. Scolfaro, J.R. Leite, F. Bechstedt. Phys. Rev. B, 62, 2475 (2000)
- D. Volm, K. Oettinger, T. Streibl, D. Kovalev, M. Ben-Chorin, J. Diener, B.K. Meyer, J. Majewski, L. Eckey, A. Hoffmann, H. Amano, I. Akasaki, K. Hiramatsu, T. Detchprohm. Phys. Rev. B, 53, 16 543 (1996)
- Z. Yang, Z. Xu. Phys. Rev. B, 54, 17 577 (1996)
- А.В. Добрынин, М.М. Слетов, В.В. Смирнов. ЖПС, 55, 861 (1991)
- Ю.В. Воробьев, В.И. Добровольский, В.И. Стриха. Методы исследования полупроводников (Киев, Выща школа, 1989)
- Ю.В. Жиляев, М.Е. Компан, Е.В. Коненкова, А.С. Мокеев, С.Д. Раевский. Письма ЖТФ, 24 (24), 90 (1998)
- А.Н. Георгобиани, Ю.В. Озеров, И.М. Тигиняну. Тр. ФИАН, вып. 163, 3 (1985)
- В.Г. Дейбук, А.В. Возный, М.М. Слетов. ФТП, 34, 36 (2000)
- T. Matilla, L.-W. Wang, Z. Zunger. Phys. Rev. B, 59, 15 270 (1999)
- S. Bloom. J. Phys. Chem. Sol., 32, 2027 (1971)
- S. Logotetidis, J. Petalas, M. Cardona, T.D. Moustakas. Phys. Rev. B, 50, 18 017 (1994)
- L.X. Benedict, T. Wethkamp, K. Wilmers, C. Cobet, N. Esser, E.L. Shirley, W. Richter, M. Cardona. Sol. St. Commun., 112, 129 (1999)
- N.E. Christensen, I. Gorczyca. Phys. Rev. B, 50, 4397 (1994)
- M.L. Cohen, J.R. Chelikowsky. Electronic Structure and Optical Properties of Semiconductors (Springer Verlag, Berlin, 1988)
- A. Chen, A. Sher. Semiconductor Alloys: Physics and Material Engineering (N. Y., Plenum Press, 1995)
- J. Rath, A.J. Freeman. Phys. Rev. B, 11, 2109 (1976)
- P. Tronc, Yu.E. Kitaev, G. Wang, M.F. Limonov, A.G. Panfilov, G. Neu. Phys. St. Sol. (b), 216, 599 (1999)
- G.L. Bir, G.E. Pikus. Summetry and Strain Induced Effects in Semiconductors (N. Y., John Wiley Sons, 1974)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
