Влияние поверхности на экситонные характеристики полупроводников
Литовченко В.Г.1, Дмитрук Н.Л.1, Корбутяк Д.В.1, Сариков А.В.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 30 июля 2001 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2002 г.
Исследовано влияние поверхностных обработок на основные характеристики экситонов в приповерхностной области полупроводника (на примере GaAs), а также пространственное распределение основных характеристик экситонов (на примере CdS). На основании анализа экспериментальных данных показано, что нанесение на поверхность полупроводника диэлектрических слоев с меньшей диэлектрической проницаемостью приводит к усилению степени экситон-фононного взаимодействия и увеличению энергии связи экситона. Возникновение на поверхности слоя с повышенной дефектностью, степень которой увеличивается после определенных поверхностных обработок, дает в результате снижение энергии связи экситона в приповерхностной области, а также уменьшение фактора экситон-фононного взаимодействия.
- В.А. Киселев, Б.В. Новиков, А.Е. Чередниченко. Экситонная спектроскопия приповерхностной области полупроводников (Л., Изд-во ЛГУ, 1987)
- Yu.V. Kryuchenko, D.V. Korbutyak, V.G. Litovchenko. Excitonic reflection spectra of semiconductor crystals with inhomogeneous subsurface region (Kiev, Inst. of Semicond. ASU, 1990)
- А.С. Батырев, Н.В. Карасенко, Б.В. Новиков, А.В. Ильин, Л.Н. Тенищев. Письма ЖЭТФ, 62 (5), 397 (1995)
- Н.Л. Дмитрук, В.М. Леонов, В.Г. Литовченко, Г.Х. Талат. ФТТ, 20 (2), 518 (1978)
- J.J. Hopfield. J. Phys. Chem. Sol., 10 (1), 110 (1959)
- Л.В. Келдыш, А.П. Силин. ЖЭТФ, 69 (3), 1053 (1975)
- Ю.Е. Лозовик, В.Н. Нишанов. ФТТ, 18 (11), 117 (1976)
- E.P. Pokatilov, S.I. Beril, V.M. Fomin, V.G. Litovchenko, D.V. Korbutyak, E.G. Lashkevich, E.V. Mikhailovskaya. Phys. St. Sol. (b), 145, 535 (1988)
- M.G. Lisachenko, E.A. Konstantinova, P.K. Kashkarov, V.Yu. Timoshenko. Phys. St. Sol. (a), 182, 297 (2000)
- A. Sarua, G. Gartner, G. Irmer, J. Monecke, I.M. Tiginyanu, H.L. Hartnagel. Phys. St. Sol. (a), 182, 207 (2000)
- M. Shinada, S. Sugano. J. Phys. Soc. Japan, 21 (10), 1936 (1966)
- R. Del Sole, E. Tosatti. Sol. St. Commun., 22 (5), 307 (1977)
- С.И. Пекар. УФН, 1, 17 (1953)
- А.С. Давыдов, Э.Н. Мясников. Экситоны в молекулярных кристаллах (Киев, Наук. думка, 1973)
- Y. Toyozawa. J. Luminesc., 1, 732 (1970)
- H.L. Malm, R.R. Hearing. Canad. J. Phys., 49, 2970 (1971)
- В.А. Зуев, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Письма ЖЭТФ, 20 (1), 3 (1974)
- V.G. Litovchenko, V.A. Zuev, D.V. Korbutyak, G.A. Sukach. Proc. 2nd Int. Conf. Solid Surf. (Kyoto, Japan) [Japan. J. Appl. Phys., 32, Suppl. 2--2, 421 (1974)]
- В.А. Зуев, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко, Г.А. Сукач. Изв. АН СССР. Сер. физ., 38 (6), 1291 (1974)
- А.В. Дражан, В.А. Зуев, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко, Е.П. Мацас. ФТП, 11 (7), 1260 (1977)
- В.А. Зуев, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. ФТП, 8 (9), 1651 (1974)
- А.А. Евтух, В.Г. Литовченко. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., 5, 3 (1984)
- R. Fuchs, K.L. Kliewer. Phys. Rev., 140, A2076 (1965)
- R. Englman, R. Ruppin. J. Phys. Chem. Sol., 1, 630 (1968)
- В.В. Брыксин, Ю.А. Фирсов. ФТТ, 11, 2167 (1969); ФТТ, 14, 1148 (1968)
- C.A. Klein. Appl. Opt., 5, 1922 (1966)
- Н.Л. Дмитрук, В.И. Ляшенко, А.К. Терещенко. УФЖ, 17 (8), 1356 (1972)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук