Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Эффект поля в системе электролит--твердый раствор (TlBiSe₂)_1-x--(TlBiS₂)_x

Шевченко О.Ю.¹, Яфясов А.М.¹, Божевольнов В.Б.¹, Иванкив И.М.¹, Перепелкин А.Д.¹

¹Научно-исследовательский институт физики Санкт-Петербурского государственного университета, Санкт-Петербург, Россия

Поступила в редакцию: 12 сентября 2001 г.

Выставление онлайн: 19 марта 2002 г.

PDF версия

Для определения электрофизических свойств поверхности и зонных параметров в приповерхностных слоях полупроводниковых твердых растворов (TlBiSe₂)_1-x-(TlBiS₂)_x при комнатной температуре использован метод эффекта поля в электролитах. Определены закон дисперсии и эффективная масса электронов зоны проводимости, концентрация ионизованной донорной примеси и положение уровня Ферми. Проведено сопоставление экспериментальных и теоретически рассчитанных вольт-фарадных характеристик.

M. Ozer, K.M. Paraskevopoulos, A.N. Anagnostopoulos, S. Kokkou, E.K. Polychroniadis. Semicond. Sci. Technol., 13, 86 (1998)
M. Ozer, K.M. Paraskevopoulos, A.N. Anagnostopoulos, S. Kokkou, E.K. Polychroniadis. Semicond. Sci. Technol., 11, 1405 (1996)
C.L. Mitsas, D.I. Siapkas. Sol. St. Commun., 83, 857 (1992)
S.A. Dembrovskii, L.G. Lisovskii, V.M. Bunin, A.S. Kanischecheva. Izv. Akad. Nauk SSSR, Neorg. Mater., 5, 2023 (1969)
C.L. Mitsas, E.K. Polychroniadis, D.I. Siapkas. Thin Sol. Films, 353, 85 (1999)
A.N. Veis, D.D. Koditsa, N.S. Popovich. Phys. St. Sol. (a), 107, K169 (1988)
L.I. Vinokurova, Y.Yu. Ivanov, L.S. Klimova, D.D. Koditsa, N.S. Popovich. Sov. Phys. --- Lebedev Inst. Rep., N 7, 49 (1988)
А.М. Яфясов, В.Б. Божевольнов, А.Д. Перепелкин. ФТП, 21, 1144 (1987)
А.М. Яфясов, А.Д. Перепелкин, Ю.Н. Мясоедов, М.В. Матвиив. ФТП, 24, 875 (1990)
А.Д. Перепелкин, А.М. Яфясов, В.Б. Божевольнов. ФТП, 25, 156 (1991)
А.М. Яфясов, В.Г. Савицкий, Р.Н. Ковтун, А.Д. Перепелкин, В.Б. Божевольнов. ФТП, 24, 875 (1990)
A. Yafyasov, V. Bogevolnov, A. Perepelkin. Phys. St. Sol. (b), 183, 419 (1994)
S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (1981)
А.М. Яфясов, В.В. Монахов, О.В. Романов. Вестн. ЛГУ, N 4, 103 (1986)
A. Yafyasov, I.M. Ivankiv. Phys. St. Sol. (b), 208, 41 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель