Управление энергией межзонных и межподзонных переходов в квантовых ямах с помощью локализованных изоэлектронных возмущений
Дуринян К.1, Затикян А.1, Петросян С.1
1Ереванский государственный университет, Ереван, Армения
Поступила в редакцию: 5 июля 2001 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2002 г.
В простом однозонном приближении исследовано влияние встроенных притягивающих или отталкивающих delta-образных потенциалов на энергетический спектр носителей заряда и силы осцилляторов для оптических переходов в квантовых ямах. Показано, что влияние delta-образных возмущений на величину и знак сдвига энергетических уровней существенно зависит от точки действия возмущения и от неоднородности эффективной массы. Расчет силы осцилляторов для межподзонных переходов подтверждает возможность создания таким путем спаренных квантовых ям с интересными нелинейными свойствами.
- Bin Zhao, A. Yariv. Quantum Well Semiconductor Lasers in Semiconductor Lasers I (San Diago, Academic Press, 1999) ch. 1, Fundamentals.
- Intersubband Transitions in QWs: Physics and Applications, ed. by H.C. Liu, F. Capasso (San Diego, Academic Press, 1999)
- W. Trzeciakowski, B.D. McComb. Appl. Lett., 55, 891 (1989)
- J.-Y. Marzin, J.-M. Gerard. Phys. Rev. Lett., 62, 2172 (1989)
- H. Sakaki, H. Sugawara, J. Motohisa, T. Nonda. In: Intersubband Transitions in Quantum Wells, ed. by E. Rosencher, B. Vinter and B. Levine (N.Y., Plenum Press, 1992) p. 65
- K. Arimoto, N. Usami, Y. Shiraki. Phisica E, 8, 323 (2000)
- G. Bastard. Wave Mechanics Applied to Semiconductor Heterostructures (Les Ulis Cedex, Les Editions de Physique, France, 1989)
- S. Adachi. J. Appl. Phys., 58, R1 (1985)
- E. Hess, I. Topol, K.R. Schulze, H. Neumann, K. Unger. Phys. St. Sol. (b), 55, 187 (1973)
- Landolt-Bornstein Tables, ed. by O. Madelung (Berlin, Springer Verlag, 1982 and 1987) vol. 17a and 22a
- J.B. Khurgin. Semiconductor and Semimetals: Nonlinear Optics of Semiconductors II (San Diego. Academic. Press, 1998) v. 59, p. 1
- C. Sirtori, F. Capasso, D. Sivco, A. Cho. In: Intersubband Transitions in Quantum Wells: Physics and Device Applications II, ed. by H.C. Liu, F. Capasso (London, Academic Press, 2000) ch. 2, p. 85
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.