Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Рекомбинация экситонов в delta-легированных сверхрешетках второго рода GaAs/AlAs

Журавлев К.С.¹, Сулайманов А.К.¹, Гилинский А.М.¹, Брагинский Л.С.¹, Торопов А.И.¹, Бакаров А.К.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 16 июля 2001 г.

Выставление онлайн: 19 марта 2002 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведено экспериментальное исследование излучательной рекомбинации экситонов в delta-легированных сверхрешетках второго рода GaAs/AlAs. Обнаружено, что при увеличении концентрации примеси в delta-слоях от 2· 10¹⁰ до 7.5· 10¹¹ см^-2 наблюдается уменьшение интегральной интенсивности фотолюминесценции сверхрешеток в 4-6 раз при значительном (до 70-80 раз) падении интенсивности экситонной фотолюминесценции, сопровождаемом ростом темпа излучательной рекомбинации экситонов. При однородном легировании сверхрешетки тушения экситонной фотолюминесценции не наблюдается. Исследование температурной зависимости и кинетики фотолюминесценции показало, что концентрационное тушение экситоной фотолюминесценции в delta-легированных структурах не связано с уменьшением энергии локализации экситонов и не может быть объяснено увеличением концентрации центров безызлучательной рекомбинации. Мы заключаем, что основной причиной примесного тушения фотолюминесценции являются индуцированные ионизованными примесями встроенные электрические поля, препятствующие образованию экситонов.

Г.Г. Зегря, А.Д. Андреев. ЖЭТФ, 109 (2), 615 (1996)
V.G. Litovchenko, D.V. Korbutyak, A.L. Bercha, H.T. Grahm, K.H. Ploog. Proc. 25th Int. Conf. Phys. Semicond. (Japan, 2000) D092
F. Minami, K. Hirata, K. Era, Y. Yao, Y. Masumoto. Phys. Rev. B, 36, 4359 (1987)
L.S. Braginsky, M.Yu. Zaharov, A.M. Gilinsky, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putiato, K.S. Zhuravlev. Phys. Rev. B, 63, 195 305 (2001)
I.N. Krivorotov, T. Chang, G.D. Gilliland, L.P. Fu, K.K. Bajaj, D.J. Wildford. Phys. Rev. B, 58, 10 687 (1998)
G.D. Gilliland, A. Antonelli, D.J. Woldford, K.K. Bajaj, J. Klem. Phys. Rev. Lett., 79, 3717 (1993)
K.S. Zhuravlev, D.A. Petrakov, A.M. Gilinsky, T.S. Shamirzaev, V.V. Preobrazhenskii, B.R. Semyagin, M.A. Putyato. Superlatt. Microstruct., 28 (2), 105 (2000)
M.V. Klein, M.D. Sturge, E. Cohen. Phys. Rev. B, 25, 4331 (1982)
K.D. Glinchuk, A.V. Prokhorovich. Phys. St. Sol. (a), 29, 339 (1975)
M.M. Dignam, J.E. Sipe. Phys. Rev. B, 41, 2865 (1990)
J. Feldmann, J. Nunnenkamp, G. Peter, E. Gobel, J. Kuhl, K. Ploog, P. Dawson, C.T. Foxon. Phys. Rev. B, 42, 5809 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель