Особенности определения концентраций мелких примесей в полупроводниках из анализа спектров экситонной люминесценции
Глинчук К.Д.1, Прохорович А.В.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 10 января 2001 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2002 г.
Проанализированы пределы применимости метода определения содержания мелких акцепторов и доноров в полупроводниках из соотношений низкотемпературных (T=1.8-4.2 K) интенсивностей полос экситонной люминесценции, обусловленных, в частности, излучательной аннигиляцией связанных на них и свободных экситонов. Показано, что корректные данные о концентрациях мелких акцепторов и доноров и изменении их содержания при различных воздействиях могут быть получены, если заполнение рассматриваемых дефектов дырками и электронами не зависит от интенсивности возбуждения люминесценции и приложенных внешних воздействий. Указаны способы проверки выполнения критериев корректности применения метода. Приведен пример использования метода для определения термически стимулированных изменений концентраций мелких акцепторов и доноров в арсениде галлия.
- В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников (Киев, Наук. думка, 1987)
- T. Taguchi, J. Shiraruji, Y. Inuishi. Phys. St. Sol. (b), 68, 727 (1975)
- T. Shmidt, K. Lischka, W. Zulehner. Phys. Rev. B, 45, 8989 (1992)
- M. Tajima. Appl. Phys. Lett., 32, 719 (1978)
- H. Nakayama, T. Nishino, Y. Hamakawa. Japan. J. Appl. Phys., 19, 501 (1980)
- А.С. Каминский, Л.И. Колесник, Б.М. Лейферов, Я.Е. Покровский. ЖПС, 36, 745 (1982)
- Б.М. Лейферов, А.Г. Либинсон. Высокочистые вещества, N 1, 147 (1987)
- S. Ambros, W. Kamp, K. Wolter, M. Weyers, H. Heinecke, H. Kurz, P. Balk. J. Appl. Phys., 64, 5098 (1988)
- H.F. Pen, F.A. Driessen, S.M. Olsthoorn, L.J. Giling. Semicond. Sci. Technol., 7, 1400 (1992)
- К.Д. Глинчук, Н.М. Литовченко, О.Н. Стрильчук, А.В. Прохорович. ФТП, 34, 530 (2000)
- К.Д. Глинчук, Н.М. Литовченко, О.Н. Стрильчук, А.В. Прохорович. ФТП, 34, 1311 (2000)
- Z.H. Lu, M.C. Hanna, D.M. Szmyd, E.G. Oh, A. Mejerfeld. Appl. Phys. Lett., 56, 177 (1990)
- К.С. Журавлев, А.К. Калагин, Н.Т. Мешегов, А.И. Торопов, Т.С. Шамирзаев. ФТП, 30, 1704 (1996)
- С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Физматгиз, 1963)
- В.Е. Лашкарев, А.В. Любченко, М.К. Шейнкман. Неравновесные процессы в фотопроводниках (Киев, Наук. думка, 1981).
- К.Д. Глинчук, Н.М. Литовченко, О.Н. Стрильчук, А.В. Прохорович. В сб.: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника (Киев, Наук. думка, 2000) вып. 35, с. 176
- Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках (М., Мир, 1973)
- M.J. Papastamation, G.L. Papaioannae. J. Appl. Phys., 68, 1094 (1990)
- И.А. Карпович, М.В. Степихова. ФТП, 30, 1785 (1996)
- V. Kazukauskas. Appl. Phys. A, 60, 509 (1995)
- Н.М. Литовченко, Л.Г. Шепель. В сб.: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника (Киев, Наук. думка, 1995) вып. 29, с. 108
- К.Д. Глинчук, Н.М. Литовченко, О.Н. Стрильчук, А.В. Прохорович. ФТП, 35, 537 (2001).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук