Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Спектры глубоких уровней в слоях ZnTe : Cr²⁺, полученных эпитаксией из молекулярных пучков

Садофьев Ю.Г.¹, Коршков М.В.²

¹Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

²Рязанская государственная радиотехническая академия, Рязань, Россия

Поступила в редакцию: 25 сентября 2001 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2002 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Выращенные методом эпитаксии из молекулярных пучков на подложках GaAs (001) слои ZnTe : Cr²⁺, легированные хромом как из металлического источника, так и из соединения CrI₃, исследованы методом токовой спектроскопии глубоких уровней. Спектры показали наличие глубокого уровня с энергией активации (1.09±0.03) эВ, связанного с центром, возникшим в результате перехода Cr²⁺-C⁺ под действием электрического поля. Легирование хромом из соединения CrI₃ приводит к исчезновению ряда характерных для эпитаксиальных слоев ZnTe точечных дефектов, при этом уровень загрязнения выращиваемых пленок йодом значителен.

L.D. De Loach, R.H. Page et al. IEEE J. Quant. Electron., 32, 885 (1996)
G.J. Wagner, T.J. Carrig, R.H. Page, K.I. Schaffers, J.O. Ndap, X. Ma, A. Burger. Optics Lett., 24, 19 (1999)
Yu.G. Sadofyev, V.F. Pevtsov, E.M. Dianov, P.A. Trubenko, M.V. Korshkov. 19th NA Conf. on MBE (Tempe, AZ, 2000) p. 42
H. Tubota. J. Appl. Phys., 1, 259 (1973)
C.B. Norris. J. Appl. Phys., 53, 5171 (1982)
П.С. Киреев, А.Г. Корницкий, В.Н. Мартынов, Ю.В. Платонов, А.В. Ванюков. ФТП, 4, 900 (1970)
M. Godlewsky, M. Kaminska. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 13, 6537 (1980)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель