Вышедшие номера
Спектры глубоких уровней в слоях ZnTe : Cr2+, полученных эпитаксией из молекулярных пучков
Садофьев Ю.Г.1, Коршков М.В.2
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2Рязанская государственная радиотехническая академия, Рязань, Россия
Поступила в редакцию: 25 сентября 2001 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2002 г.

Выращенные методом эпитаксии из молекулярных пучков на подложках GaAs (001) слои ZnTe : Cr2+, легированные хромом как из металлического источника, так и из соединения CrI3, исследованы методом токовой спектроскопии глубоких уровней. Спектры показали наличие глубокого уровня с энергией активации (1.09±0.03) эВ, связанного с центром, возникшим в результате перехода Cr2+-C+ под действием электрического поля. Легирование хромом из соединения CrI3 приводит к исчезновению ряда характерных для эпитаксиальных слоев ZnTe точечных дефектов, при этом уровень загрязнения выращиваемых пленок йодом значителен.