-1 Рассмотрены электронные состояния для энергий в зоне проводимости сверхрешеток (AlAs)_M(GaAs)_N (111) с M>=q N (N<10). Свойства таких сверхрешеток в основном определяются электронами X-долин в AlAs и L-долин в GaAs. Расчеты проведены на основе предложенной ранее модели сшивания огибающих функций. Найдены и проанализированы минизонные спектры, симметрия и локализация волновых функций, а также вероятности межминизонного инфракрасного поглощения. Показано, что последние имеют значительную величину не только при поляризации света в направлении оси роста сверхрешетки, но также и при нормальном к поверхности структуры падении световой волны. Проведенный анализ показал, что важную роль при рассмотрении инфракрасного поглощения играет учет в волновых функциях X₅-состояний валентной зоны.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.