Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Генерация колебаний сверхвысокой частоты безбазовым диодом

Дарзнек С.А.¹, Любутин С.К.¹, Рукин С.Н.¹, Словиковский Б.Г.¹

¹Институт электрофизики Уральского отделения РАН, Екатеринбург, Россия Institute of Electrophysics of the Ural Branch of the Russian Academy of Sciences, Yekaterinburg, Russia

Institute of Electrophysics of the Ural Branch of the Russian Academy of Sciences, Yekaterinburg, Russia

Поступила в редакцию: 1 ноября 2001 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2002 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Впервые экспериментально обнаружены СВЧ колебания напряжения в гигагерцовом диапазоне при прохождении обратного тока длительностью ~300 нс и плотностью несколько кА/см² через кремниевый p⁺-1pt-p-n⁺-диод без базы. Теоретически рассмотрен механизм возникновения таких колебаний. Показано, что частота и глубина модуляции СВЧ колебаний определяются плотностью тока и градиентом концентрации легирующей примеси в плоскости p-n-перехода.

М. Шур. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1992) кн. 2, гл. 6
В.А. Козлов, А.Ф. Кардо-Сысоев, В.И. Брылевский. ФТП, 35 (5), 629 (2001)
В.С. Белкин, Г.И. Шульженко. Препринт 91--51, Институт ядерной физики СО АН СССР (Новосибирск, 1991)
Landolt--Boernstein. Numerical Data and Functional Relationships is Science and Technology (Berlin, Springer Verlag, 1982). Vol. 17, Subvolume a. Physics of Group IV Elements and III--V Compounds
И.В. Грехов, Ю.Н. Сережкин. Лавинный пробой p-n-перехода в полупроводниках (Л., Энергия, 1980)
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) кн. 2, гл. 10

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель