Физические свойства полуизолирующих монокристаллов CdTe : Cl, выращенных из газовой фазы
Попович В.Д.1, Григорович Г.М.1, Пелещак Р.М.1, Ткачук П.Н.2
1Дрогобычский государственный педагогический университет им. И. Франко, Дрогобыч, Украина
2Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 8 ноября 2001 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2002 г.
Описан газофазный метод получения высокоомных монокристаллов CdTe : Cl. Приведены результаты исследования фотолюминесценции этих кристаллов в зависимости от содержания легирующей примеси в исходном материале. Путем измерения электрических и фотоэлектрических характеристик выявлено положение энергетического уровня, который определяет электропроводность полученных монокристаллов.
- F.A. Kroger, J. Vink. Phys. St. Sol., 3, 310 (1956)
- G. Mandel. Phys. Rev. A, 134, 1073 (1964)
- T.I. Milenov, M.M. Gospodinov. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res., A 322, 368 (1992)
- P. Hoshl, P. Polivka, M. Vanecek, M. Skrivankova. Rev. Phys. Appl., 12, 229 (1977)
- R. Triboulet. Progr. Cryst. Gr. Char. Mater., 85, 128 (1994)
- T. Shoji, H. Onabe, Y. Hiratate. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res., A 322, 324 (1992)
- Н.А. Украинец. Автореф. канд. дис. (Львов, НУ "Львовская политехника", 2000)
- M. Fiederle, T. Feltgen, M. Rogalla, J. Mejnhardt, J. Ludwig, K. Runge, K.W. Benz. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res., A 434, 152 (1999)
- А.Л. Грохольский. Измерители добротности --- куметры (Новосибирск, Наука, 1966)
- Ж.Р. Паносян. Тр. ФИАН, 68, 147 (М., 1973)
- Н.В. Агринская, Н.Н. Зиновьев, О.А. Матвеев, И.Д. Ярошецкий. ФТП, 14, 172 (1980)
- Hage-Ali, P. Siffert. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res., A322, 313 (1992)
- Д.В. Корбутяк, С.В. Мельничук, Э.В. Корбут, М.М. Борисюк. Телурид кадмiю: домiшково-дефектнi стани та детекторнi властивостi (Киев, Изд-во "Iван Федоров", 2000)
- B.K. Meyer, W. Stadler. J. Cryst. Growth, 161, 119 (1996)
- Н.В. Агринская, Е.Н. Аркадьева, О.А. Матвеев. ФТП, 5, 869 (1971)
- Н.В. Агринская, О.А. Матвеев, А.В. Никитин, В.А. Сладкова. ФТП, 21, 676 (1987)
- J. Saraie, H. Shinohara, H. Edanatzu, T. Tanaka. J. Luminesc., 21, 337 (1980)
- К.В. Шалимова. Физика полупроводников (М., Энергия, 1976)
- А.В. Любченко, Е.А. Сальков, Ф.Ф. Сизов. Физические основы полупроводниковой инфракрасной электроники (Киев, Наук. думка, 1984)
- Н.В. Агринская, Е.Н. Аркадьева, О.А. Матвеев, Ю.В. Рудь. ФТП, 2, 932 (1968)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.