Миграция точечных дефектов в соединениях AIVBVI в поле лазерной волны
Пляцко С.В.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 16 июля 2001 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2002 г.
Представлены результаты по лазерно-стимулированному (homega<Eg) преобразованию дефектов в соединениях AIVBVI. Установлено увеличение скорости генерации дефектов в кристалле с ростом концентрации свободных носителей и электрического поля в электромагнитной волне лазерного излучения. Проведен анализ особенностей направленной миграции собственных и примесных дефектов при совместном воздействии лазерного излучения и внешнего электрического поля в модели, предполагающей основным источником дефектов области скопления включений, размер которых значительно меньше длины волны излучения в кристалле. Перемещение и направленная миграция индуцированных дефектов в решетке происходят в результате увлечения активированных атомов свободными носителями тока в поле лазерной волны EL и внешнего электрического поля Eex. Проведены оценки коэффициентов диффузии и эффективных зарядов увлечения дефектов, индуцированных лазерным излучением.
- С.В. Пляцко, Ю.С. Громовой, Ф.Ф. Сизов. Квант. электрон. (Киев), 29, 93 (1985)
- С.В. Пляцко, В.П. Кладько. ФТП, 31 (10), 1206 (1997)
- С.В. Пляцко. ФТП, 34 (9), 1046 (2000)
- Ю.С. Громовой, Л.А. Коровина, С.В. Пляцко, Ф.Ф. Сизов, С.Д. Дарчук, С.А. Белоконь. ФТП, 24 (2), 250 (1990)
- N.N. Grigor'ev, T.A. Kudykina, S.V. Plyatsko, F.F. Sizov. Semicond. Sci. Technol., 3, 951 (1988)
- N.N. Grigor'ev, T.A. Kudykina, S.V. Plyatsko, F.F. Sizov. Infr. Phys., 28, 307 (1988)
- Yu.S. Gromovoj, S.V. Plyatsko, F.F. Sizov. Mater. Lett., 8, 495 (1989)
- Yu.S. Gromovoj, S.V. Plyatsko, F.F. Sizov. J. Phys.: Condens. Matter, 2, 10 391 (1990)
- S.D. Darchuk, G.N. Panin, S.V. Plyatsko, F.F. Sizov, E.B. Yakimov. J. Phys. Chem. Sol. 51, 1333 (1990)
- С.Д. Дарчук, Т. Дитл, Л.А. Коровина, С. Колесник, М. Савицкий, Ф.Ф. Сизов. ФТП, 32, 786 (1998)
- R. Breshi, A. Camanzi, V. Fano. J. Cryst. Growth, 58, 399 (1982)
- A. Wocaun, J.G. Bergman, J.P. Heritage, A.M. Hass, P.F. Liao, D.H. Olson. Phys. Rev. B, 24 (2), 849 (1981)
- А.А. Бендицкий, Л.В. Видута, В.И. Конов, С.М. Пименов, А.М. Прохоров, П.М. Томчук, Р.Д. Федорович, Н.И. Чаплиев, В.А. Яковлев. Препринт 291, ИОФ АН СССР (М., 1987)
- В.Б. Фикс. Ионная проводимость в металлах и полупроводниках (М., Наука, 1969)
- Б.И. Болтакс. Диффузия в полупроводниках (М., Физматгиз, 1961)
- Дж.П. Старк. Диффузия в твердом теле (М., Энергия, 1980)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук