Представлены результаты по лазерно-стимулированному (homega<E_g) преобразованию дефектов в соединениях A^IVB^VI. Установлено увеличение скорости генерации дефектов в кристалле с ростом концентрации свободных носителей и электрического поля в электромагнитной волне лазерного излучения. Проведен анализ особенностей направленной миграции собственных и примесных дефектов при совместном воздействии лазерного излучения и внешнего электрического поля в модели, предполагающей основным источником дефектов области скопления включений, размер которых значительно меньше длины волны излучения в кристалле. Перемещение и направленная миграция индуцированных дефектов в решетке происходят в результате увлечения активированных атомов свободными носителями тока в поле лазерной волны E_L и внешнего электрического поля E_ex. Проведены оценки коэффициентов диффузии и эффективных зарядов увлечения дефектов, индуцированных лазерным излучением.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.