Подвижность электронов в квантовой яме AlGaAs / GaAs / AlGaAs
Мокеров В.Г.1, Галиев Г.Б.1, Пожела Ю.2, Пожела К.2, Юцене В.2
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
Поступила в редакцию: 19 ноября 2001 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2002 г.
Экспериментально установлено осциллирующее изменение подвижности электронов с изменением толщины квантовой ямы гетероструктуры AlGaAs / GaAs / AlGaAs с модулированным двухсторонним легированием. Установлено резкое падение подвижности с ростом концентрации электронов в квантовой яме. Определены условия увеличения подвижности при введении в квантовую яму тонкого барьера. Впервые экспериментально наблюдалось увеличение подвижности в 1.3 раза в квантовой яме толщиной L=26 нм при введении тонкого (1-1.5 нм) барьера AlAs.
- J. Pozela, V. Juciene, A. Namaj\^unas, K. Pozela. Physica E, 5, 108 (1999)
- I. Lee, S.M. Goodnick, M. Gulia, E. Molinary, P. Lugli. Phys Rev. B, 51, 7046 (1995)
- C.R. Bennet, M.A. Amato, N.A. Zakhleniuk, B.K. Ridley, M. Babiker. J. Appl. Phys., 83, 1499 (1998)
- Q.X. Zhao, S. Wongmanerod, M. Willander, P.O. Holtz, E. Selvig, B.O. Fimland. Phys. Rev. B, 62, 10 984 (2000)
- K.W. Kim, A.R. Bhatt, M.A. Stroscio, P.J. Turley, S.W. Teitsworth. J. Appl. Phys., 72, 2282 (1992)
- J. Pozela, K. Pozela, V. Juciene. Semiconductors, 34, 1011 (2000)
- T. Tsuchiya, T. Ando. Phys. Rev. B, 47, 7240 (1993); Phys. Rev. B, 48, 4599 (1993)
- W. Xu, F.M. Peeters, J.T. Devreese. Phys. Rev. B, 48, 1562 (1993)
- J. Pozela, V. Juciene, A. Namaj\^unas, K. Pozela. J. Appl. Phys., 81, 1775 (1997)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук