Вышедшие номера
Подвижность электронов в квантовой яме AlGaAs / GaAs / AlGaAs
Мокеров В.Г.1, Галиев Г.Б.1, Пожела Ю.2, Пожела К.2, Юцене В.2
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
Поступила в редакцию: 19 ноября 2001 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2002 г.

Экспериментально установлено осциллирующее изменение подвижности электронов с изменением толщины квантовой ямы гетероструктуры AlGaAs / GaAs / AlGaAs с модулированным двухсторонним легированием. Установлено резкое падение подвижности с ростом концентрации электронов в квантовой яме. Определены условия увеличения подвижности при введении в квантовую яму тонкого барьера. Впервые экспериментально наблюдалось увеличение подвижности в 1.3 раза в квантовой яме толщиной L=26 нм при введении тонкого (1-1.5 нм) барьера AlAs.