Вышедшие номера
Резонансный перенос носителей заряда через ловушечные состояния в диэлектрике в периодических наноструктурах Si/CaF2
Берашевич Ю.А.1, Данилюк А.Л.1, Борисенко В.Е.1
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
Поступила в редакцию: 4 октября 2001 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2002 г.

Предложена модель туннельно-резонансного переноса носителей заряда через дискретный ловушечный уровень в диэлектрике в периодических наноразмерных структурах Si/CaF2. Необходимым требованием туннельно-резонансного переноса при приложении внешнего смещения к структуре является совпадение энергии носителей заряда в яме кремния с энергетическим положением уровня ловушек в диэлектрике. Показано, что заполнение ловушечных состояний в диэлектрике и нарушение условий туннельно-резонансного переноса носителей через уровень ловушек при превышении энергии носителей в яме уровня ловушек в диэлектрике приводит к спаду токопереноса через структуру и образованию области отрицательного дифференциального сопротивления на вольт-амперных характеристиках периодических структур Si/CaF2. В результате моделирования данного эффекта было обнаружено, что преимуществами приборов на основе периодических структур кремний/диэлектрик являются широкий диапазон рабочих температур 77-300 K и возможность совмещения с кремниевой технологией изготовления интегральных схем.