Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Эффект переключения в гетеропереходах Si--CdS, синтезированных в резко неравновесных условиях
1Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 5 декабря 2001 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2002 г.
Сообщается о результатах исследования электрических свойств и процессов формирования гетеропереходов на охлажденной до отрицательных температур подложке из кристаллического кремния. Приводятся данные технологических, электронографических и электрических исследований. Выявлен эффект переключения проводимости в гетеропереходах на основе двухфазных пленок сульфида кадмия и определены режимы формирования аморфных и аморфных с кристаллическими включениями пленок CdS. Показано соответствие результатов солитонной модели.
- А.П. Беляев, В.П. Рубец, И.П. Калинкин. ФТТ, 39 (2), 382 (1997)
- А.П. Беляев, В.П. Рубец, И.П. Калинкин. Неорг. матер., 34 (3), 281 (1998)
- А.П. Беляев, В.П. Рубец. ФТП, 35 (3), 294 (2001)
- С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. УФН, 168 (10), 1083 (1998)
- А.П. Беляев, В.П. Рубец, И.П. Калинкин. ФТП, 31 (8), 966 (1997)
- А.П. Беляев, В.П. Рубец, И.П. Калинкин. ЖТФ, 71 (4), 133 (2001)
- Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Теоретическая физика. Теория упругости (М., Наука, 1987)
- А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник (М., Мир, 1975)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
