Вышедшие номера
Одномерный фотонный кристалл, полученный с помощью вертикального анизотропного травления кремния
Толмачев В.А.1, Границына Л.С.1, Власова Е.Н.2, Волчек Б.З.2, Нащекин А.В.1, Ременюк А.Д.1, Астрова Е.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 4 февраля 2002 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2002 г.

Исследованы возможности технологии вертикального анизотропного травления кремния ориентации (110) для изготовления одномерного фотонного кристалла с высоким контрастом показателя преломления. Показано, что продвижение в ближний инфракрасный диапазон ограничивается механической прочностью тонких кремниевых стенок. Получены приборные структуры, состоящие из 50 канавок глубиной 114 мкм и толщиной кремниевых стенок 1.8 мкм (период структуры 8 мкм). Проведенные измерения их спектров отражения в области длин волн 2.5-16.5 мкм показали хорошее согласие с результатами расчета, хотя основная фотонная зона, расположенная при lambda~ 28±10 мкм, осталась вне пределов измерений.