Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Метастабильные состояния нелегированного аморфного гидрогенизированного кремния, создаваемые gamma-облучением

Аблова М.С.¹, Куликов Г.С.¹, Першеев С.К.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 4 февраля 2002 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2002 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проводимость собственного аморфного гидрогенизированного кремния (a-Si : H) после gamma-облучения возрастает. Этот эффект обусловлен увеличением количества метастабильных состояний D⁺ в щели подвижности. Проводимость несобственного (нелегированного) облученного a-Si : H уменьшается. Вероятно, что gamma-облучение создает в этом материале комплексы, включающие водород. Обсуждается сравнение этих результатов с известными данными для a-Si : H, легированного B или P.

М.С. Аблова, Г.С. Куликов, С.К. Першеев. ФТП, 32, 245 (1998)
О.А. Голикова. ФТП, 31, 281 (1997)
M. Gunes, C.R. Wronski, T.J. McMahon. J. Appl. Phys., 76, 2260 (1994)
M. Gunes, C.R. Wronski. J. Appl. Phys., 81, 3526 (1997)
R.A. Street, J.R. Kakalios, C.C. Tsaj, T.M. Hayes. Phys. Rev. B, 35, 1316 (1987); Phys. Rev. B, 34, 3030 (1986)
Аморфный кремний и родственные материалы, под ред. Х. Фрицше (М., Мир, 1991)
Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982). т. 2, с. 424
O. Imagawa, K. Yasuda, A. Yoshida. J. Appl. Phys., 66, 4719 (1989)
D.L. Staebler, C.R. Wronski. J. Appl. Phys., 51, 3262 (1980)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель