Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2002, выпуск 9 » Статья стр. 1089
<<<>>>
Исследования эффекта Штарка вертикально сопряженных квантовых точек в гетероструктурах InAs/GaAs
Соболев М.М.1, Устинов В.М.1, Жуков А.Е.1, Мусихин Ю.Г.1, Леденцов Н.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 12 февраля 2002 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2002 г.
PDF версия
Сообщается о результатах исследований с помощью нестационарной спектроскопии глубоких уровней квантовых состояний дырок в вертикально сопряженных квантовых точках (ВСКТ) в p-n-гетероструктурах InAs/GaAs в зависимости от величины напряжения обратного смещения. Были обнаружены уровни связанных и антисвязанных s- и p-состояний ВСКТ, энергии которых находятся в сильной зависимости от величины приложенного внешнего электрического поля. Наблюдаемые изменения приписываются квантово-размерному эффекту Штарка для дырочных состояний вертикально сопряженных квантовых точек. Кроме того, обнаружена зависимость величины энергии термической активации носителей из ВСКТ от условий изохронного отжига как при включенном, так и выключенном напряжении смещения, а также при наличии или отсутствии оптической подсветки. Эти изменения, как и в случае одиночных квантовых точек, являются отличительной чертой бистабильного электростатического диполя, образованного носителями, локализованными в квантовой точке и ионизованными точечными дефектами решетки. Встроенное электрическое поле этого диполя уменьшает барьер носителей ВСКТ. Исследуемые структуры с вертикально сопряженными квантовыми точками выращивались методом молекулярно-пучковой эпитаксии за счет эффектов самоорганизации.
  1. М.М. Соболев, Ф.Р. Ковш, В.М. Устинов, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, М.В. Максимов, Н.Н. Леденцов. ФТП, 31, 1249 (1997)
  2. M.M. Sobolev, A.R. Kovsh, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Shukov, M.V. Maximov, N.N. Ledentsov. Proc. 19th Int. Conf. on Defects in Semiconductors, July 21-25, 1997 (Aveiro, Portugal). [Material Sci. Forum, 258--263, pt. 3, 1619 (1997)]
  3. M.M. Sobolev, I.V. Kochnev, V.M. Lantratov, N.A. Cherkashin, V.V. Emtsev. Physica B: Condens. Matter., 273--274, 959 (1999)
  4. М.М. Соболев, И.В. Кочнев, В.М. Лантратов, Н.А. Берт, Н.А. Черкашин, Н.Н. Леденцов, Д.А. Бедарев. ФТП, 34, 200 (2000)
  5. A. Patan\`e, A. Levin, A. Polimeny, F. Schindler, P.C. Main, L. Eaves, M. Henini. Appl. Phys. Lett., 77, 2979 (2000)
  6. M. Gurioli, S. Sanguinetti, M. Henini. Appl. Phys. Lett., 78, 931 (2001)
  7. A. Lemaitre, A.D. Ashmore, J.J. Finley, D.J. Mowbray, M.S. Skolnic, M. Hopkinson, T.F. Lrauss. Phys. Rev. B, 63, 161 309 (R) (2001)
  8. W. Sheng, J.-P. Leburton. Appl. Phys. Lett., 78, 1258 (2001)
  9. М.М. Соболев, И.В. Кочнев, В.М. Лантратов, Н.Н. Леденцов. ФТП, 35, 1228 (2001)
  10. M.M. Sobolev, V.M. Lantratov. Physica B: Condens. Matter., 308--310, 1113 (2002)
  11. N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin, M. Grundmann, N. Kirstaedter, J. Bohrer, O. Schmidt, D. Bimberg, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, S.V. Zaitsev, N.Yu. Gordeev, Zh.I. Alferov, A.I. Borovkov, A.O. Kosogov, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Gosele, J. Heydenrech. Phys. Rev. B, 54, 8743 (1996)
  12. М.В. Максимов, Ю.М. Шерняков, С.В. Зайцев, Н.Ю. Гордеев, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, П.С. Копьев, А.О. Косогов, А.В. Сахаров, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, А.Ф. Цацульников, Ж.И. Алфёров. ФТП, 31, 670 (1997)
  13. Р.А. Сурис. В сб.: Материалы седьмой зимней школы по физике полупроводников (Л., 1975) с. 245
  14. R. Wetzler, C.M.A. Kapteyn, R. Heitz, A. Wacker, E. Scholl, D. Bimberg. Phys. St. Sol. (b), 224, 79 (2001)
  15. A. Mtonneau, G.M. Martin, A. Mircea. Electron. Lett., 13, 666 (1977)
  16. H. Hasagawa, A. Majerfeld. Electron. Lett., 11, 286 (1975)
  17. X. Letartre, D. Stievenard, M. Lanno. J. Appl. Phys., 69, 7336 (1991)
  18. P.W. Fry, I.E. Itskevich, D.J. Mowbray, M.S. Skolnick, J.J. Finley, J.A. Barker, E.P. O'Reilly, L.R. Wilson, I.A. Larkin, P.A. Maksym, M. Hopkinson, M. Al-Khafaji, J.P.R. David, A.G. Gillis, G. Hill, J.C. Clark. Phys. Rev. Lett., 84, 733 (2000)
  19. H. Pettersson, C. Pryor, L. Landin, M.-E. Pistopl, N. Carlsson, W. Seifert, L. Samuelson. Phys. Rev. B, 61, 4795 (2000)
  20. S. Ghosh, B. Kochman, J. Singh, P. Bhattacharaya. Appl. Phys. Lett., 76, 2571 (2000)
  21. C.M.A. Kapteyn, M. Lion, R. Heitz, D. Bimberg, P. Brunkov, B.V. Volovik, S.G. Konnikov, A.R. Kovsh, V.M. Ustinov. Phys. St. Sol. (b), 224, 57 (2001)
  22. S. Anand, N. Carlsson, M.-E. Pistopl, L. Samuelson, W. Seifert. J. Appl. Phys., 84, 3747 (1998)
  23. K. Schmalz, I.N. Yassievich, F. Collart, D.J. Gravesteijn. Phys. Rev. B, 54, 16 799 (1996).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme