Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фотоэлектрические явления в солнечных элементах ZnO(ITO)/a-Si : H(n)/c-Si(p)/Al

Николаев Ю.А.¹, Рудь В.Ю.², Рудь Ю.В.¹, Теруков Е.И.¹, Fuhs W.³, Froitzheim A.³

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
³Hahn--Meithner Institute, Berlin, Germany

Поступила в редакцию: 18 февраля 2002 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2002 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

На подложках монокристаллического кремния получены солнечные элементы Al/ZnO/a-Si : H(n)/c-Si(p)/Al и Al/ITO/a-Si : H(n)/c-Si(p)/Al. Исследованы фотоэлектрические свойства полученных солнечных элементов в естественном и линейно поляризованном излучении при T=300 K. Обнаружена поляризационная фоточувствительность солнечных элементов, возникающая в условиях наклонного падения линейно поляризованного излучения. Установлены главные закономерности наведенного фотоплеохроизма солнечных элементов с просветляющими покрытиями ZnO и ITO. Обнаружены осцилляции в спектре наведенного фотоплеохроизма, которые связываются с интерференционными явлениями в пленках окислов. Полученные результаты показывают возможность применения солнечных элементов в качестве селективных фотоанализаторов, а метод поляризационной спектроскопии может обеспечить эффективный мониторинг просветляющих покрытий солнечных элементов.

K.O. Kuda, H. Okamoto, Y. Hamakawa. J. Appl. Phys., 22, L605 (1999)
R. De Rosa, M.L. Grill, G. Sasikala, M. Tucci. Sol. St. Phenomena, 67--68, 563 (1999)
В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 31, 254 (1997)
Ю.А. Николаев, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Е.И. Теруков. ФТП, 34, 818 (2000)
H. Mell, Ю.А. Николаев, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Е.И. Теруков. ФТП, 35, 1316 (2001)
S. Ashok, P.P. Sharma, S.J. Fonash. IEEE Trans. Electron. Dev., ED--27, 725 (1980)
Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник (М., Наука, 1979)
Ф.П. Кесаманлы, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП 30, 1921 (1996)
G.A. Medvedkin, Yu.V. Rud'. Phys. St. Sol. (a), 67, 333 (1981)
Ф.П. Кесаманлы, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 33, 513 (1999)
Г.С. Ландсберг. Оптика (М., Наука, 1976)
В.М. Ботнарюк, А.В. Коваль, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, А.В. Симашкевич, Д.А. Щербак. ФТП, 31, 800 (1997)
Ю.В. Рудь. Изв. вузов. Физика, 29, 68 (1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель