Вышедшие номера
Исследование распределений потенциала в прямо смещенном кремниевом диоде методом электростатической силовой микроскопии
Анкудинов А.В.1, Титков А.Н.1, Laiho R.2, Козлов В.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Wihury Physical Laboratory, Turku, Finland
Поступила в редакцию: 26 февраля 2002 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2002 г.

Методом электростатической силовой микроскопии изучено распределение потенциала в эпитаксиально-диффузионном n+-n-p-p+-кремниевом диоде. Исследования методом электростатической силовой микроскопии проводились на сколе диода, пересекающем формирующие его слои. Первоначально были найдены распределения потенциала и емкости по поверхности скола. По вариациям поверхностного потенциала и емкости с субмикронным пространственным разрешением были определены положение и протяженность n-p-перехода и прослежено распределение в диоде приложенного прямого смещения. Обнаружено существование в исследовавшейся структуре заметного дополнительного потенциального барьера в области n+-n-перехода с подложкой. При плотности тока инжекции более 100 мА/см2 падение потенциала на этом барьере становится сопоставимым с изменениями потенциала на рабочем n-p-переходе.