Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Модель образования донорных центров в слоях кремния, имплантированных ионами эрбия и кислорода

Александров О.В.¹, Захарьин А.О.¹

¹Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 2 апреля 2002 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2002 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведено моделирование образования донорных центров при отжиге слоев монокристаллического кремния FZ-Si (метод бестигельной зонной плавки) и Cz-Si (метод Чохральского), имплантированных совместно ионами Er⁺ и O⁺. Решались численно диффузионно-кинетические уравнения, учитывающие образование эрбиевых донорных центров трех типов - с участием кислорода подложки или имплантированного кислорода, а также собственных межузельных атомов I, образующихся при отжиге имплантационных нарушений, т. е. центров (Er-I), (Er-O) и (Er-O-I). Расчеты удовлетворительно описывают концентрационные профили донорных центров по глубине, а также влияние кислорода подложки и имплантированного кислорода на зависимости коэффициента донорной активации эрбия от температуры отжига в диапазоне 600-1200^oC.

Н.А. Соболев. ФТП, 29, 1153 (1995)
J. Michel, L.V.C. Assali, M.T. Morse, L.C. Kimerling. Semicond. Semimet., 49, 111 (1998)
В.Ф. Мастеров. Ф.С. Насрединов, П.П. Серегин, Е.И. Теруков, М.М. Мездрогина. ФТП, 32, 708 (1998)
L. Palmetshofer, Yu. Suprun-Belevich, M. Stepikhova. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 127/128, 479 (1997)
В.В. Емцев, В.В. Емцев (мл.), Д.С. Полоскин, Н.А. Соболев, Е.И. Шек, Й. Михель, Л.С. Кимерлинг. ФТП, 33, 649 (1999); V.V. Emtsev Jr., C.A.J. Ammerlan, B.A. Andreev, G.A. Oganesyan, D.S. Poloskin, E.I. Shek, N.A. Sobolev. Sol. St. Phenomena, 82-- 84, 93 (2002)
Н.А. Соболев, М.С. Бреслер, О.Б. Гусев, М.И. Маковийчук, Е.О. Паршин, Е.И. Шек. ФТП, 28, 1995 (1994)
О.В. Александров, Н.А. Соболев, Е.И. Шек, А.В. Меркулов. ФТП, 30, 876 (1996)
N.A. Sobolev, O.V. Alexandrov, E.I. Shek. MRS Symp. Proc., 442, 237 (1997)
R.A. Devine, D. Mathiot, W.L. Warren, B. Asper. J. Appl. Phys., 79, 2302 (1996)
L. Pelaz, G.H. Gilmer, M. Jaraiz, S.B. Herner, H.-J. Gossmann, D.J. Eaglesham, G. Hobler, C.S. Rafferty, J. Barbolla. Appl. Phys. Lett., 73, 1421 (1998)
D. Maroudas, R.A. Brown. Appl. Phys. Lett., 62, 172 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель