Влияние плотности поверхностных состояний на фотолюминесценцию Si--SiO2-структур при комнатной температуре в области зона-зонной рекомбинации кремния
Емельянов А.М.1, Соболев Н.А.1, Pizzini S.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2INFM and Department of Materials Science, Milan, Italy
Поступила в редакцию: 2 апреля 2002 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2002 г.
Исследована взаимосвязь между интенсивностью зона-зонной фотолюминесценции в монокристаллическом кремнии и плотностью поверхностных состояний на границе кремний-<диоксид кремния> в Si-SiO2-структурах, изготовленных по технологии, используемой при промышленном изготовлении приборов с зарядовой связью. Для измерения плотности поверхностных состояний использовались отжиг Si-SiO2-структур в водороде и gamma-облучение.
- M.A. Green, J. Zhao, A. Wang, P.J. Reece, M. Cal. Nature, 412, 805 (2001)
- Wai Lek Ng, M.A. Lourenco, R.M. Gwilliam, S. Ledain, G. Shao, K.P. Homewood. Nature, 410, 192 (2001)
- V.Yu. Timoshenko, J. Rappich, Th. Dittrich. Appl. Surf. Sci., 123/124, 111 (1998)
- A.M. Emel'yanov, V.V. Golubev. Semiconductors, 28, 1148 (1994)
- В.С. Першенков, В.Д. Попов, А.В. Шальнов. Поверхностные радиационные эффекты в ИМС (М., Энергоатомиздат, 1988) с. 85
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
