Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Образование преципитатов beta-FeSi₂ в микрокристаллическом Si

Теруков Е.И.¹, Коньков О.И.¹, Кудоярова В.Х.¹, Гусев О.Б.¹, Давыдов В.Ю.¹, Мосина Г.Н.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 2 апреля 2002 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2002 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Впервые наблюдалось образование преципитатов beta-FeSi₂ в пленках микрокристаллического кремния. Пленки аморфного кремния, легированные железом (a-Si<Fe>), были получены методом магнетронного распыления. Последующий кратковременный термический отжиг приводил к переходу аморфного кремния в микрокристаллический и образованию преципитатов beta-FeSi₂. Показано, что синтезированные образцы излучали на длине волны lambda~1.54 мкм при 100 K.

M.C. Bost, J.E. Mahan. J. Appl. Phys., 58, 2696 (1985)
D. Leong, M. Harry, K.J. Reeson, K.P. Homewood. Nature, 387, 686 (1997)
K. Lefki, P. Muret, N. Cherief, R.S. Cinti. J. Appl. Phys., 69, 352 (1991)
B.O. Kolbesen, H. Cerva. Phys. St. Sol. (b), 222, 303 (2000)
Р.И. Баталов, Р.М. Баязитов, Е.И. Теруков, В.Х. Кудоярова, G. Waiser, H. Kuehne. ФТП, 35 (11), 1320 (2001)
R.I. Batalov, R.M. Bayazitov, I.B. Khaibullin, E.I. Terukov, V.Kh. Kudoyarova. Nanotechnology, 12, 409 (2001)
B.L. Sharma. Diffusion in semiconductors. Trans. Tech. Pub. Germany, 87 (1970)
K. Lefki, P. Muret, E. Bustarret, N. Boutarek, R. Madar, J. Chevrier, J. Derrien, M. Brunel. Sol. St. Commun., 80, 791 (1991)
A.G. Birdwell, R. Glosser, D.N. Leong, K.P. Homewood. J. Appl. Phys., 89, 965 (2001)
JCPDS Powder Diffraction File. Publ. by Int. Centr for Diffraction Data (Swarthmore, USA, 1989)
Н.А. Дроздов, А.А. Патрин. Письма ЖЭТФ, 23, 800 (1976). [Zh. Eksper. Teor. Fiz., Pisma, 23, 651 (1976)]

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель