Влияние адсорбата на работу выхода и прозрачность поверхностного потенциального барьера монокристалла GaAs (110)
Асалханов Ю.И.1, Абарыков В.Н.2
1Восточно-Сибирский государственный технологический университет, Улан-Удэ, Россия
2Бурятский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук, Улан-Удэ, Россия
Поступила в редакцию: 18 декабря 2001 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2002 г.
Установлены характерные особенности изменений вольт-амперных характеристик тока медленных моноэнергетических электронов, проходящих из вакуума в монокристаллический GaAs (110), при удалении слоя естественного окисла с поверхности. Показано, что работа выхода уменьшается, а коэффициент прозрачности поверхностного потенциального барьера увеличивается с температурой отжига кристалла в условиях высокого вакуума. Процесс удаления окисла параллельно контролировался эллипсометрически. Толщина удаляемого слоя, согласно расчетам по уравнениям Друдэ, не превышает 20 Angstrem.
- Ф. Бехштедт, Р. Эндерлайн. Поверхности и границы раздела полупроводников (М., Мир, 1990)
- P.A. Anderson. Phys. Rev., 75 (8), 1205 (1949)
- H. Shelton. Phys. Rev., 107 (6), 1553 (1957)
- Э.Х. Родерик. Контакты металл--полупроводник (М., Радио и связь, 1982)
- Ю.И. Асалханов, К.Н. Иванов, Д.Ц. Ширапова. ПТЭ, N 1, 167 (1991)
- Ю.И. Асалханов, Д.Д. Дондоков, И.Т. Пронькинов. А.с. 1406661 (СССР). [БИ, N 24 (1988)]
- Ю.И. Асалханов, И.И. Домбровский, С.А. Алексеев. ПТЭ, N 1, 135 (1992)
- Ю.И. Асалханов. Автореф. канд. дис. (Л., ЛГУ, 1975)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук