Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2002, выпуск 11 » Статья стр. 1400
<<<
Высокоэффективные (etaD>80%) длинноволновые (lambda>1.25 мкм) лазеры на основе квантовых точек на подложках GaAs
Михрин С.С.1, Жуков А.Е.1, Ковш А.Р.1, Малеев Н.А.1, Васильев А.П.1, Семенова Е.С.1, Устинов В.М.1, Кулагина М.М.1, Никитина Е.В.1, Сошников И.П.1, Шерняков Ю.М.1, Лившиц Д.А.1, Крыжановская Н.В.1, Сизов Д.С.1, Максимов М.В.1, Цацульников А.Ф.1, Леденцов Н.Н.1, Bimberg D.2, Алфёров Ж.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Technical University of Berlin, Berlin, Germany
Поступила в редакцию: 23 апреля 2002 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2002 г.
PDF версия
Исследованы инжекционные лазеры с активной областью на основе нескольких рядов самоорганизующихся квантовых точек на подложках GaAs, излучающие, в зависимости от количества рядов квантовых точек и уровня оптических потерь, в диапазоне длин волн 1.25-1.29 мкм. Продемонстрирована рекордная внешняя дифференциальная эффективность 88% и характеристическая температура порогового тока 145 K. Внутренние потери, а также пороговые и спектральные характеристики соотнесены с оптическим усилением и эффективностью излучательной рекомбинации, зависящими от дизайна активной области и режимов ее выращивания.
  1. G. Park, O.B. Shchekin, D.L. Huffaker, D.G. Deppe. IEEE Photon. Technol. Lett., 13, 230 (2000)
  2. G.T. Liu, A. Stinz, H. Li, T.C. Newell, A.L. Gray, P.M. Varangis, K.J. Malloy, L.F. Lester. IEEE J. Quant. Electron., 36, 1272 (2000
  3. A.E. Zhukov, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov. Selected Topics in Electronics and Systems, v. 16. Advances in semiconductor lasers and applications to optoelectronics, ed. by M. Dutta, M.A. Stroscio (World Scientific, Singapore, 2000) p. 263
  4. Yu.M. Shernyakov, D.A. Bedarev, E.Yu. Kondrat'eva, P.S. Kop'ev, A.R. Kovsh, N.A. Maleev, M.V. Maximov, S.S. Mikhrin, A.F. Tsatsul'nikov, V.M. Ustinov, B.V. Volovik, A.E. Zhukov, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Electron. Lett., 35, 898 (1999)
  5. G. Park, O.B. Shchekin, S. Csutak, D.L. Huffater, D.G. Deppe. Appl. Phys. Lett., 75, 3267 (1999)
  6. G.T. Liu, A. Stinz, H. Li, K.J. Malloy, L.F. Lester. Electron. Lett., 35, 1163 (1999)
  7. Х. Кейси, М. Паниш. Лазеры на гетероструктурах (М., Мир, 1981) т. 1
  8. F. Klopf, J.P. Reithmaier, A. Forchel. Appl. Phys. Lett., 77, 1419 (2000)
  9. A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, N.A. Maleev, V.M. Ustinov, D.A. Livshits, I.S. Tarasov, D.A. Bedarev, M.V. Maximov, A.F. Tsatsul'nikov, I.P. Soshnikov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Electron. Lett., 35, 1845 (1999)
  10. X. Huang, A. Stinz, C.P. Hains, G.T. Liu, J. Cheng, K.J. Malloy. Electron. Lett., 36, 41 (2000)
  11. H. Chen, Z. Zou, O.B. Shchekin, D.G. Deppe. Electron. Lett., 36, 1703 (2000)
  12. A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, N.A. Maleev, S.S. Mikhrin, V.M. Ustinov, A.F. Tsatsul'nikov, M.V. Maximov, B.V. Volovik, D.A. Bedarev, Yu.M. Shernyakov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Appl. Phys. Lett., 75, 1926 (1999)
  13. V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, Semicond. Sci. Technol., 15, R41 (2000)
  14. P.M. Smowton, P. Blood. IEEE J. Quant. Electron., 3, 491 (1997)
  15. P. Blood. In: Physics and technology of heterostructure devices, ed. by D.V. Morgan, R.H. Williams (Peter Perigrinus, 1991) Ch. 7, p. 231

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme