Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

О влиянии сегрегации на состав твердого раствора GaAs_1-xSb_x в методе жидкофазной эпитаксии

Бирюлин Ю.Ф.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 17 июня 2002 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2002 г.

PDF версия

Проведен анализ физических и физико-химических процессов, способных приводить к появлению градиента состава жидкой фазы при эпитаксии пленок твердого раствора GaAs_1-xSb_x. Показано, что доминирующим механизмом в этом случае является гравитационная ликвация.

Ю.Ф. Бирюлин, Р.Р. Ичкитидзе, В.К. Кригель, Ю.В. Шмарцев. ФТП, 13 (6), 1235 (1979)
А.Н. Несмеянов, Р.А. Соколик. Методы элементоорганической химии ( бор, алюминий, галлий, индий, таллий) (М., Наука, 1964)
J.R. Arther. J. Phys. Chem. Sol., 28, 2257 (1967)
J. Ohsawa, K. Ikeda, K. Takahashi, W. Susaki. Jap. J. Appl. Phys., 21 (1), L49 (1982)
А.А. Шебзухов. Поверхность. Физика, химия, механика, N 8, 13 (1983)
Ю.Ф. Бирюлин, В.Н. Каряев, О.Ф. Лепехин. Письма ЖТФ, 20 (16), 29 (1994)
Л.Н. Курбатов. Прикл. физика, N 3, 5 (1999)
С.В. Новиков, И.Г. Савельев, М. Панек, Р. Пашкович, М. Тлачала, Ю.В. Шмарцев. Письма ЖТФ, 19 (14), 70 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель