Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Получение изотопно-чистых слоев кремния ²⁸Si методом газофазной эпитаксии

Годисов О.Н.¹, Калитеевский А.К.¹, Сафронов А.Ю.¹, Королев В.И.², Аруев П.Н.³, Бер Б.Я.³, Давыдов В.Ю.³, Забродская Н.В.³, Забродский В.В.³, Калитеевский М.А.³, Копьев П.С.³, Коварский А.П.³, Суханов В.Л.³

¹ПО "Электромеханический завод", НТЦ "Центробежные технологии", Санкт-Петербург, Россия
²НПО "Радиевый институт им. В.Г. Хлопина", Санкт-Петербург, Россия
³Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 26 апреля 2002 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2002 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом газофазной эпитаксии выращен слой изотопно-чистого кремния ²⁸Si с обогащением 99.96%. Вторично-ионная масс-спектроскопия и рамановские измерения показывают высокое качество полученного эпитаксиального материала.

W.S. Capinski, H.J. Maris, E. Bauser, I. Silier, M. Asen-Palmer, T. Ruf, M. Cardona, E. Gmelin. Appl. Phys. Lett., 71 (15), 2109 (1997)
T. Ruf, R.W. Henn, M. Asen-Palmer, E. Gmelin, M. Cardona, H.J. Pohl, G.G. Devyatych, P.G. Sennikov. Sol. St. Commun., 115 (5), 243 (2000).
M.G. Gornov, O.M. Grebennikova, Y.B. Gurov, M.A. Morokhovets, K.N. Neimark, B.P. Osipenko, V.V. Fedorov, E.S. Yurova. Instuments and Experimental Techniques, 33 (3), 554 (1990)
А.Н. Брыкалов, Е.И. Игнатенко, М.Л. Кожух, А.В. Литовченко, Ю.В. Марков, Ю.В. Петров. Атом. энергия, 65 (1), 558 (1988)
B.E. Kane. Nature, 393, 133 (1998)
A.A. Larionov, L.E. Fedichkin, A.A. Kokin, K.A. Valiev. Nanotechnology, 11 (4), 392 (2000)
О.Н. Годисов, А.К. Калитеевский, В.И. Королев, Б.Я. Бер, В.Ю. Давыдов, М.А.Калитеевский, П.С. Копьев. ФТП, 35 (8), 913 (2001)
H. Bracht, E.E. Haller, R. Clark-Phelps. Phys. Rev. Lett., 81 (2), 393 (1998).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель