Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние света на подвижность свободных носителей заряда в кристаллах моноселенида индия

Абдинов А.Ш.¹, Бабаева Р.Ф.², Амирова С.И.¹, Рагимова Н.А.¹, Рзаев Р.М.¹

¹Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан Baku State University, Baku, Azerbaijan

²Азербайджанский Государственный экономический университет, Баку, Азербайджан Azerbaijan State University of Economics (UNEC), Baku, Azerbaijan

Azerbaijan State University of Economics (UNEC), Baku, Azerbaijan

Поступила в редакцию: 13 мая 2013 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2014 г.

PDF версия

Исследовано влияние света из различных областей оптического поглощения (собственного и примесного) на подвижность свободных носителей заряда в чистых (специально не легированных) кристаллах моноселенида индия (n-InSe) с различным значением исходной темновой удельной проводимости (sigma_T0=10^-3-10^-8 Ом^-1см^-1 при 77 K) при различных внешних условиях. Обнаружены зависимость подвижности свободных носителей заряда от воздействия света, положительная и отрицательная подвижностная память, а также стирание (гашение) подвижностной памяти. Предложена модель, которая основывается на частичной неупорядоченности исследуемых кристаллов и качественно удовлетворительно объясняет полученные экспериментальные результаты.

А.Ш. Абдинов, А.Г. Кязым-заде, А.А. Ахмедов. Изв. АН АзССР. Сер. физ.-техн. и мат. наук, N 2, 72 (1977)
А.Ш. Абдинов, А.Г. Кязым-заде. ФТП, 9 (10), 1970 (1975)
А.Ш. Абдинов, Р.Ф. Бабаева. Неорг. матер., 31 (8), 1020 (1995)
М.К. Шейнкман, А.Я. Шик. ФТП, 10 (2), 209 (1976)
Р.Ф. Мехтиев, Г.Б. Абдуллаев, Г.А. Ахундов. ДАН АзССР, 18 (6), 11 (1962)
З.С. Медведева. Халькогениды элементов подгруппы III Б периодической системы (М., Наука, 1968)
Н.Х. Абрикосов, В.Ф. Банкина, Л.В. Порецкая, Е.В. Скуднова, С.Н. Чижевская. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе (М., Наука, 1975)
G.R. Miller, Che-Yu-Li, C.W. Spenser. J. Appl. Phys., 34 (5), 1398 (1963)
Н.Ф. Ковтанюк, Ю.А. Концевой. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов (М., Металлургия, 1970)
Р. Смит. Полупроводники (М., Мир, 1982)
Р.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Наука, 1963)
А.Ш. Абдинов, Я.Г. Гасанов. ФТП, 16 (8), 1525 (1982)
Э.Д. Головкина, Н.Н. Левченя, А.Я. Шик. ФТП, 9 (10), 383 (1976)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель